Mikä on yhden kristalluunin lämpökentän lämpötilagradientti?

Mikä onlämpökenttä?

Lämpötilakenttäyhden kristallin kasvuviittaa lämpötilan alueelliseen jakautumiseen yhtenä kideuunissa, joka tunnetaan myös nimellä lämpökenttä. Kalsinoinnin aikana lämpötilan jakautuminen lämpöjärjestelmässä on suhteellisen stabiili, jota kutsutaan staattiseksi lämpökentäksi. Yhden kiteen kasvun aikana lämpökenttä muuttuu, jota kutsutaan dynaamiseksi lämpökentäksi.

Kun yksi kide kasvaa, johtuen faasin jatkuvasta transformaatiosta (nestefaasi kiinteään faasiin), kiinteän faasin piilevä lämpö vapautuu jatkuvasti. Samanaikaisesti kristalli on pidempi ja pidempi, sulataso putoaa jatkuvasti ja lämmönjohtavuus ja säteily muuttuvat. Siksi lämpökenttä muuttuu, jota kutsutaan dynaamiseksi lämpökentäksi.

Mikä on kiinteän ja nesteen rajapinta?

Tietyllä hetkellä kaikilla uunin pisteillä on tietty lämpötila. Jos yhdistämme pisteet avaruudessa samaan lämpötilaan lämpötilakenttään, saamme alueellisen pinnan. Tällä alueellisella pinnalla lämpötila on yhtä suuri kaikkialla, jota kutsumme isotermiseksi pinnaksi. Yhden kidehuoneen isotermisten pintojen joukossa on hyvin erityinen isoterminen pinta, joka on kiinteän faasin ja nestemäisen faasin välinen rajapinta, joten sitä kutsutaan myös kiinteä-neste-rajapinnaksi. Kide kasvaa kiinteän ja nesteen rajapinnasta.

Mikä on lämpötilagradientti?

Lämpötilagradientti viittaa lämpöpisteen A lämpötilan muutoksenopeuteen lämpökentällä läheisen pisteen B lämpötilaan, toisin sanoen lämpötilan muutosnopeuteen yksikköetäisyydellä.

Kunyhden kristallipiiKasvaa, lämpökentässä on kaksi kiinteää ja sulaa, ja lämpötilagradientit ovat myös kahta tyyppiä:

▪ Pitkittäislämpötilagradientti ja radiaalilämpötilagradientti kiteessä.

▪ Pitkittäislämpötilagradientti ja säteittäinen lämpötilagradientti sulaessa.

▪ Nämä ovat kaksi täysin erilaista lämpötilan jakautumista, mutta lämpötilagradientti kiinteän ja nesteen rajapinnalla, joka voi eniten vaikuttaa kiteytystilaan. Kiteen säteittäinen lämpötilan gradientti määritetään kiteen, pintasäteilyn ja uuden asennon pituussuuntaisella ja poikittaisella lämmönjohtavuudella lämpökentällä. Yleisesti ottaen keskilämpötila on korkea ja kiteen reunan lämpötila on alhainen. Sulan säteittäisen lämpötilan gradientti määritetään pääasiassa sen ympärillä olevien lämmittimien avulla, joten keskilämpötila on alhainen, upokkaan lähellä oleva lämpötila on korkea ja säteittäisen lämpötilan gradientti on aina positiivinen.

Lämpökentän kohtuullinen lämpötilajakauma on täytettävä seuraavat olosuhteet:

▪ Kristallin pitkittäislämpötilagradientti on riittävän suuri, mutta ei liian suuri, jotta lämmön hajoamiskapasiteetti on riittävästikidekasvupoistaa kiteytymisen piilevä lämpö.

▪ Sulan pitkittäislämpötilagradientti on suhteellisen suuri, varmistaen, että sulalla ei tuoteta uusia kidorykkeitä. Jos se on liian suuri, on helppo aiheuttaa dislokaatioita ja rikkoutumista.

▪ Pitkittäislämpötilagradientti kiteytymisrajapinnassa on sopivasti suuri, mikä muodostaa tarvittavan alajäähdytyksen siten, että yksittäisellä kiteellä on riittävä kasvuvauhti. Sen ei pitäisi olla liian suurta, muuten rakenteellisia vikoja tapahtuu, ja säteittäisen lämpötilan gradientin tulisi olla mahdollisimman pieni, jotta kiteytymisrajapinta tasaisesti olisi tasainen.

Vetek Semiconductor on ammattimainen kiinalainen valmistajaSic -kidekasvu huokoinen grafiitti, Monokiteinen vetäminen upokas, Vedä pii -yksikristalli -jig, Upokas monokiteisen piin suhteen, Tantaalikarbidilla päällystetty putki kidekasvulle.  Vetek Semiconductor on sitoutunut tarjoamaan edistyneitä ratkaisuja erilaisille sic -kiekkotuotteille puolijohdeteollisuudelle.

Jos olet kiinnostunut yllä olevista tuotteista, ota rohkeasti yhteyttä suoraan.  

MOB: +86-180 6922 0752

Whatsapp: +86 180 6922 0752

Sähköposti: anny@veteemiemi.com