Wafer Substrate on puolijohde-yksikidemateriaalista valmistettu kiekko. Substraatti voi mennä suoraan kiekkojen valmistusprosessiin puolijohdelaitteiden valmistamiseksi, tai se voidaan käsitellä epitaksiaalisella prosessilla epitaksiaalisten kiekkojen valmistamiseksi.
Wafer Substrate puolijohdelaitteiden perustukirakenteena vaikuttaa suoraan laitteiden suorituskykyyn ja vakauteen. Puolijohdelaitteiden valmistuksen "perustana" substraatille on suoritettava sarja valmistusprosesseja, kuten ohutkalvon kasvattaminen ja litografia.
Yhteenveto substraattityypeistä
- Yksikiteinen piikiekko: tällä hetkellä yleisin substraattimateriaali, jota käytetään laajalti integroitujen piirien (IC:iden), mikroprosessorien, muistien, MEMS-laitteiden, teholaitteiden jne. valmistuksessa;
- SOI-substraatti: käytetään korkean suorituskyvyn pienitehoisissa integroiduissa piireissä, kuten korkeataajuisissa analogisissa ja digitaalisissa piireissä, RF-laitteissa ja virranhallintasiruissa;
- Yhdistelmäpuolijohdesubstraatit: Galliumarsenidisubstraatti (GaAs): mikroaalto- ja millimetriaaltoviestintälaitteet jne. Galliumnitridi-substraatti (GaN): käytetään RF-tehovahvistimissa, HEMT:ssä jne. Piikarbidisubstraatti (SiC): käytetään sähköajoneuvoissa, tehomuuntimissa ja muissa teholaitteissa käytettyihin teholaitteisiin. jne.;
- Safiiri-substraatti: käytetään LED-valmistukseen, RFIC:iin (radiotaajuusintegroitu piiri) jne.;
Vetek Semiconductor on ammattimainen piikarbidi- ja SOI-substraattien toimittaja Kiinassa. 4H-puolieristävää SiC-substraattiamme ja 4H-puolieristävää SiC-substraattiamme käytetään laajalti puolijohdevalmistuslaitteiden avainkomponenteissa.
Vetek Semiconductor on sitoutunut tarjoamaan edistyksellisiä ja räätälöityjä Wafer Substrate -tuotteita ja -teknisiä ratkaisuja puolijohdeteollisuudelle. Odotamme vilpittömästi , että pääsemme toimittajaksesi Kiinassa .
Tärkeimmät ominaisuudet
- Ammattimainen piikarbidialustojen (4H N-tyyppinen ja puolieristävä) ja SOI-substraattien toimittaja teho-, RF- ja edistyneisiin IC-sovelluksiin.
- Laaja alustavalikoima kattaa piin, yhdistepuolijohteet (SiC, GaN, GaAs, InP), safiirin ja erikoiskiekot (PZT, SiN, valekiekot).
- Korkea materiaalilaatu ja prosessin johdonmukaisuus soveltuvat epitaksiaaliseen kasvuun, laitevalmistukseen ja laiteprosessin ohjaukseen.
- Räätälöidyt spesifikaatiot ja tekniset ratkaisut erilaisiin puolijohteiden valmistusvaatimuksiin.
- Luotettava Kiinassa toimiva tarjonta sovellussuunnittelutuella teholaitteille, MEMS-, LED-, RF- ja lämpöprosessityökaluille.
Tuoteluokat
- SiC-substraatit: 4H N-tyyppiset ja puolieristävät SiC-kiekot teholaitteisiin ja RF-sovelluksiin
- SOI-substraatit: Silicon-on-Insulator-kiekot tehokkaille, vähän tehoa käyttäville IC- ja RF-laitteille
- Erikois-/prosessikiekot: CVD SiC päällystetyt valekiekot, SiN-substraatit, PZT-pietsosähköiset kiekot Si/SOI:lla
- Muut yhdiste-/safiirisubstraatit: tukevat LED-, RF- ja optoelektronisia sovelluksia (kuten viitataan yleiskatsauksessa)
Sovellukset
Vastatakseen puolijohteiden valmistuksen monipuolisiin tarpeisiin VeTek tarjoaa kohdennettuja Wafer Substrate -tuotteita. Seuraavassa taulukossa ne luokitellaan tärkeimpien sovellusalueiden mukaan:
| Sovelluskenttä |
Tyypillisiä tuotteita |
Sovelluksen kuvaus |
| Virtalaitteet ja sähköautot |
4H-SiC-substraatit (N-tyyppi / puolieristävä) |
Piikarbidisubstraatit tehomuuntimille, sähköajoneuvoille ja suurjännitelaitteille, jotka vaativat korkeaa lämpötilaa ja korkeaa hyötysuhdetta. |
| RF / High-Frequency ICs |
SOI-substraatit, GaN/GaAs-substraatit, puolieristävä piikarbidi |
Tehokkaat, pienitehoiset substraatit RF-laitteille, tehovahvistimille, HEMT:ille ja korkeataajuisille analogisille/digitaalisille piireille. |
| MEMS & anturit |
PZT pietsosähköiset kiekot (PZT on Si/SOI), SiN-substraatit |
Pietsosähköiset ja lujat substraatit MEMS-muuntimille, antureille, 5G-laitteille, lääketieteellisille ja puetettaville laitteille, jotka vaativat sähkömekaanista muuntamista. |
| Prosessin ohjaus ja testaus |
CVD SiC pinnoite Nukkekiekko |
Nukke- ja testikiekot laitteiden pätevöintiin, prosessien valvontaan ja kontaminaatioiden valvontaan puolijohteiden valmistuslinjoilla. |
| LED / Optoelektroniikka |
Safiirisubstraatit, yhdistepuolijohdesubstraatit (InP jne.) |
Substraatit LED-valmistukseen, lasereihin, valoilmaisimiin ja RFIC-sovelluksiin, jotka vaativat optista ja korkeataajuista suorituskykyä. |
| Kehittynyt IC / Logiikka ja muisti |
Yksikiteiset piikiekot, SOI-substraatit |
Valtavirran ja edistykselliset substraatit integroiduille piireille, mikroprosessoreille, muisteille ja virranhallintasiruille. |
Katso tarkempia prosessien sovitusratkaisuja kohdastaPiikarbidiepitaksijaSilicon Epitaxyliittyviä sivuja.
Ammattimaisena kiekkojen valmistajana ja toimittajana Kiinassa meillä on oma tehdas. Tarvitsetpa räätälöityjä palveluita vastaamaan alueesi erityistarpeita tai haluat ostaa kehittyneitä ja kestäviä kiihkoja, jotka on valmistettu Kiinassa, voitjätä meille viesti.
