Kiekkoalustaon puolijohde-yksikidemateriaalista valmistettu kiekko. Substraatti voi mennä suoraan kiekkojen valmistusprosessiin puolijohdelaitteiden valmistamiseksi, tai se voidaan käsitellä epitaksiaalisella prosessilla epitaksiaalisten kiekkojen valmistamiseksi.
Kiekkoalusta puolijohdelaitteiden perustukirakenteena vaikuttaa suoraan laitteiden suorituskykyyn ja vakauteen. Puolijohdelaitteiden valmistuksen "perustana" substraatille on suoritettava sarja valmistusprosesseja, kuten ohutkalvon kasvattaminen ja litografia.
Yhteenveto substraattityypeistä:
●Yksikiteinen piikiekko: tällä hetkellä yleisin substraattimateriaali, jota käytetään laajalti integroitujen piirien (IC:iden), mikroprosessorien, muistien, MEMS-laitteiden, teholaitteiden jne. valmistuksessa;
●SOI-substraatti: käytetään korkean suorituskyvyn pienitehoisissa integroiduissa piireissä, kuten korkeataajuisissa analogisissa ja digitaalisissa piireissä, RF-laitteissa ja virranhallintasiruissa;
●Yhdistetyt puolijohdesubstraatit: Galliumarsenidisubstraatti (GaAs): mikroaalto- ja millimetriaaltoviestintälaitteet jne. Galliumnitridisubstraatti (GaN): käytetään RF-tehovahvistimissa, HEMT:ssä jne.Piikarbidisubstraatti (SiC): käytetään sähköajoneuvoissa, tehomuuntimissa ja muissa teholaitteissa Indiumfosfidisubstraatti (InP): käytetään lasereissa, valoilmaisimissa jne.;
●Safiiri substraatti: käytetään LED-valmistukseen, RFIC:iin (radiotaajuusintegroitu piiri) jne.;
Vetek Semiconductor on ammattimainen piikarbidi- ja SOI-substraattien toimittaja Kiinassa. Meidän4H puolieristävä SiC-substraattija4H Puolieristävä SiC-substraattikäytetään laajalti puolijohdevalmistuslaitteiden avainkomponenteissa.
Vetek Semiconductor on sitoutunut tarjoamaan edistyksellisiä ja räätälöityjä Wafer Substrate -tuotteita ja -teknisiä ratkaisuja puolijohdeteollisuudelle. Odotamme vilpittömästi, että pääsemme toimittajaksesi Kiinassa.
