Uutiset

Tutustu VeTek Semiconductorin CNC-tarkkuustyöstöominaisuuksiin erittäin puhtaan grafiitin, CVD SiC/TaC -pinnoitettujen komponenttien, kiinteiden piikarbidiosien ja mukautettujen puolijohderatkaisujen kanssa.

Vetek Semiconductor osallistui CSEAC 2026 -tapahtumaan Wuxissa Kiinassa esitellen edistyneitä CVD SiC- ja TaC-pinnoitteitaan, grafiittikomponenttejaan, piikarbidikeramiikkaa ja muita puolijohdeydinmateriaaleja. Tapahtuma tarjosi arvokkaita mahdollisuuksia vahvistaa asiakaskumppanuuksia, keskustella uusista teknologioista, viedä eteenpäin yhteistyöprojekteja ja tutkia tulevaisuuden mahdollisuuksia maailmanlaajuisella puolijohdeteollisuudella.

VETEK Semiconductor on erikoistunut kuuteen päätuoteluokkaan, mukaan lukien CVD SiC -pinnoitteet, CVD TaC -pinnoitteet, kiinteä piikarbidi, erittäin puhdas grafiitti ja hiilikuitu, kvartsi ja edistynyt keramiikka sekä puolijohdekiekot. Tuotteemme palvelevat kriittisiä puolijohdeprosesseja, kuten epitaksia, syövytystä ja kiteen kasvua. Kahden T&K-alustan, täysin integroidun valmistusjärjestelmän ja maailmanlaajuisten toimitusmahdollisuuksien ansiosta meidät tunnustetaan kansalliseksi erikoistuneeksi ja kehittyneeksi "pieneksi jättiläisyritykseksi".

VETEKin uusi puolijohdetehdas on siirtynyt puolijohdeluokan puhdastilarakennusvaiheeseen. Uusi tuotantolaitos tukee CVD SiC -pinnoitettujen grafiittikomponenttien, TaC-pinnoitteiden, PyC-pinnoitteiden, kiinteiden piikarbidiosien ja erittäin puhtaiden grafiittimateriaalien tuotantoa puolijohdesovelluksiin.

VeTek Semiconductor jakaa keskeiset näkemykset SNEC 2026 Shanghaista korostaen erittäin puhdasta grafiittia, CVD SiC -pinnoitettuja grafiittikomponentteja, hiilikomposiitteja ja kehittyneitä lämpökenttämateriaaleja, jotka tukevat seuraavan sukupolven aurinkoenergian valmistusta ja aurinkosähkön tuotantoa.

VETEK juhlii uuden puolijohdevalmistuksensa täydennystilaisuutta, joka laajentaa tuotantokapasiteettia edistyneille SiC-, TaC- ja PyC-pinnoitustekniikoille, Solid SiC -komponenteille, erittäin puhtaille grafiittiosille ja puolijohteiden lämpökenttämateriaalille.

Vetek Semiconductorin asiakkaat vierailivat 5. syyskuuta sic -päällystys- ja TAC -päällystystehtaissa ja pääsivät uusimmista epitaksiaaliprosessiratkaisuista lisää sopimuksia.

Puolalainen asiakas vieraili 5.9.2025 VETEKin alaisuudessa sijaitsevalla tehtaalla oppimassa edistyneistä teknologioistamme ja innovatiivisista prosesseistamme hiilikuitutuotteiden valmistuksessa.

Piikarbidilla päällystetyt grafiittikiekkojen alustat ovat tärkeitä lämpö- ja mekaanisia komponentteja GaN- ja LED-epitaksian MOCVD-järjestelmissä. Tämä tekninen artikkeli selittää, kuinka kantoaineen geometria, taskun syvyys, tasaisuus, grafiitin ominaisuudet ja CVD SiC -pinnoitteen kunto vaikuttavat kiekkojen lämpötilajakaumaan, epitaksiaaliseen tasaisuuteen ja prosessin toistettavuuteen. Se tutkii myös lämmön tasaisuuden ja laitteen tuoton välistä suhdetta, yleisiä pinnoitteen huononemismekanismeja, käyttöikää koskevia näkökohtia ja teknisiä tietoja, joita tarvitaan määritettäessä mukautettua tai korvaavaa MOCVD-kiekon alustaa.

SiC-pinnoitettu grafiitti yhdistää erittäin puhtaan grafiitin työstettävyyden ja lämpökäyttäytymisen kemiallisesti vakaaseen CVD-piikarbidiprosessipintaan. Tämä tekninen valkoinen kirja selittää, miksi paljaasta grafiitista voi tulla kemiallisen vuorovaikutuksen, epäpuhtauksien ja hiukkasten lähde epitaksireaktoreissa, kuinka CVD SiC luo vakaamman prosessirajan ja miksi pinnoitteen eheys, alustan yhteensopivuus, geometria ja lämpökäyttäytyminen on suunniteltava yhdessä. Siinä tarkastellaan myös piin ja piikarbidin eri vaatimuksia ja hahmotellaan, kuinka päällystetyt suskeptorit tulisi määrittää puolijohdesovelluksiin.

Piikarbidilla päällystetty grafiittisuskeptori on kriittinen lämpökenttäkomponentti puolijohteen epitaksissa eikä pelkkä kiekkojen pidike. Tämä tekninen artikkeli selittää, kuinka suskeptorin geometria, tasaisuus, taskurakenne, grafiitin ominaisuudet ja CVD SiC -pinnoitteen laatu vaikuttavat yhdessä kiekkojen lämpörajoihin, lämpötilan jakautumiseen ja epitaksiaaliseen tasaisuuteen. Se tutkii myös yleisiä suskeptorivikoja, pinnoitteen hajoamista, hiukkasriskiä ja tärkeimpiä teknisiä parametreja, joita vaaditaan määritettäessä mukautettua tai korvaavaa epitaksisuskeptoria.

CVD-piikarbidipinnoite valmistetaan kerrostamalla tiheä piikarbidikerros erittäin puhtaalle grafiitille kontrolloidun kaasufaasi- ja pintareaktioiden avulla. Tämä artikkeli selittää substraatin valmistelun, MTS-pohjaisen CVD-kasvun, ydintymisen ja massansiirron, pinnoitteen paksuuden ja tasaisuuden, piikarbidin/grafiitin rajapinnan jännityksen, yleiset viat ja puolijohdetason tarkastuksen. Se osoittaa myös, miksi prosessiparametrit ja komponenttien geometria on suunniteltava yhdessä suskeptoreille ja kiekkojen kantoaineille, joita käytetään epitaksissa ja MOCVD:ssä.

Piikarbidipinnoite on tiheä CVD SiC -kerros, joka levitetään erittäin puhtaille grafiittikomponenteille, joita käytetään puolijohteiden käsittelyssä. Tässä artikkelissa kerrotaan, miksi grafiitti päällystetään piikarbidilla, miten CVD SiC muodostuu, mitkä pinnoitteen ominaisuudet ja rajapintatekijät säätelevät suorituskykyä ja kuinka piikarbidilla päällystetty grafiitti tukee piiepitaksia, piikarbidiepitaksia ja MOCVD:tä. Se tutkii myös pinnoitteen paksuutta, CTE-epäsopivuutta, delaminaatioriskiä ja teknisiä tietoja, joita tarvitaan määritettäessä suskeptoreita, kiekkojen alustaa ja muita päällystettyjä komponentteja.

Tekninen valkoinen kirja CVD SiC- ja TaC-pinnoitteiden vaikutuksesta lämpöstabiilisuuteen, kontaminaatioon, hiukkasiin ja toistettavuuteen puolijohteiden epitaksissa, parametritaulukot, pinnoitteen valintapäätöspuu, vikamekanismit ja RFQ-kriteerit.

8 tuuman piikarbidi on nyt volyymituotannossa, mutta kiekkojen tuotto – ei kapasiteetti – erottaa voittajat. Tämä opas selittää, miksi grafiitin kuumavyöhykeosien TaC-pinnoite määrää tuoton ja kuinka toimittaja kelpuutetaan.

Nykyaikaisessa siruvalmistuksessa substraatti tarjoaa fyysistä tukea ja lämmönpoistopolun, kun taas epitaksiaalinen kerros määrittää laitteen sähköisen suorituskyvyn rajat. Tämä artikkeli tarjoaa perusteellisen analyysin yksikiteisten pii- ja piikarbidisubstraattien ja CVD/MBE-epitaksiaalisten prosessien välisistä perustavanlaatuisista eroista ja paljastaa, kuinka epitaksitekniikka parantaa suurtaajuus- ja suurjännitelaitteiden suorituskykyä vähentämällä vikatiheyttä ja sisällyttämällä siihen jännitystekniikkaa. Olitpa prosessiinsinööri tai hankintapäätöksentekijä, tämä opas auttaa sinua löytämään nopeasti sopivimman kiekkojen valintastrategian.