Uutiset

Vetek Semiconductorin asiakkaat vierailivat 5. syyskuuta sic -päällystys- ja TAC -päällystystehtaissa ja pääsivät uusimmista epitaksiaaliprosessiratkaisuista lisää sopimuksia.

Kvartsituotteita käytetään laajasti puolijohteiden valmistusprosessissa niiden korkean puhtauden, korkean lämpötilan vastustuskyvyn ja voimakkaan kemiallisen stabiilisuuden vuoksi.

Piekarbidi (sic) kidekasvuuunilla on elintärkeä rooli korkean suorituskyvyn SIC-kiekkojen tuottamisessa seuraavan sukupolven puolijohdelaitteille. Korkealaatuisten SIC-kiteiden kasvatusprosessi asettaa kuitenkin merkittäviä haasteita. Jokainen vaihe vaatii edistyneitä tekniikan ratkaisuja äärimmäisten lämpögradienttien hallinnasta kidealueiden vähentämiseen, tasaisen kasvun varmistamiseen ja tuotantokustannusten hallintaan. Tässä artikkelissa analysoidaan sic Crystal Growth -uunien teknisiä haasteita useista näkökulmista.

Smart Cut on edistyksellinen puolijohteiden valmistusprosessi, joka perustuu ionin implantointiin ja kiekkojen strippaukseen, joka on erityisesti suunniteltu ultra-ohuen ja erittäin yhtenäisen 3C-SIC: n (kuutio-piikarbidi) kiekkojen tuotantoon. Se voi siirtää ultra-ohut kidemateriaalit substraatista toiseen, rikkoen siten alkuperäiset fyysiset rajoitukset ja muuttamalla koko substraattiteollisuutta.

Korkealaatuisten ja korkeatuottoisten piilikarbidisubstraattien valmistelussa ydin vaatii tarkan tuotantolämpötilan hallinnan hyvien lämpökenttämateriaalien avulla. Tällä hetkellä pääasiassa käytettyjä lämpökenttäpoistopaketteja ovat erittäin puhtaita grafiittikomponentteja, joiden tehtävänä on lämmittää sulaa hiilijauhetta ja piijauhetta sekä lämmön ylläpitämistä.

Kun näet kolmannen sukupolven puolijohteet, ihmettelet varmasti, mitkä olivat ensimmäisen ja toisen sukupolven. Tässä "tuotanto" luokitellaan puolijohteiden valmistuksessa käytettyjen materiaalien perusteella.