Korkea puhtaus sic -jauhe

1. Korkea puhtaus: sic -pitoisuus on 99,9999%, epäpuhtauspitoisuus on erittäin pieni, mikä vähentää puolijohteiden ja aurinkosähkölaitteiden haitallisia vaikutuksia ja parantaa tuotteiden johdonmukaisuutta ja luotettavuutta.

2. Erinomaiset fysikaaliset ominaisuudet: mukaan lukien korkea kovuus, korkea lujuus ja korkea kulumiskestävyys, jotta se voi ylläpitää hyvää rakenteellista vakautta käsittelyn ja käytön aikana.

3. Korkea lämmönjohtavuus: Voi nopeasti johtaa lämpöä, auttaa parantamaan laitteen lämmön hajoamistehokkuutta, alentamaan käyttölämpötilaa ja pidentäen siten laitteen käyttöikä.

4. Matala laajennuskerroin: Koonmuutos on pieni, kun lämpötila muuttuu, vähentäen lämpölaajennuksen ja supistumisen aiheuttamaa materiaalin halkeilua tai suorituskyvyn laskua.

5. Hyvä kemiallinen stabiilisuus: Happo- ja alkali -korroosionkestävyys voi pysyä stabiilina kompleksisessa kemiallisessa ympäristössä.

6. Laaja kaistaväli -ominaisuudet: Korkealla hajoamisella sähkökentän lujuudella ja elektronien kylläisyyden ajelehtumisnopeudella, joka sopii korkean lämpötilan, korkean paine-, korkean taajuuden ja suuritehoisten puolijohdelaitteiden valmistukseen.

7. Korkea elektronien liikkuvuus: Se on edistävä puolijohdelaitteiden työnopeuden ja tehokkuuden parantamiseksi.

8. Ympäristönsuojelu: Suhteellisen pieni pilaantuminen ympäristölle tuotanto- ja käyttöprosessissa.

Puolijohdeteollisuus:

- Substraattimateriaali: Piilakarbidisubstraatin valmistukseen voidaan käyttää korkeaa puhtautta sic-jauhetta, jota voidaan käyttää korkeataajuuden, korkean lämpötilan, korkeapainekäyttöisten laitteiden ja RF-laitteiden valmistukseen.

Epitaksiaalikasvu: Puolijohteiden valmistusprosessissa korkean puhtaan piikarbidijauhetta voidaan käyttää raaka-aineena epitaksiaalista kasvua varten, jota käytetään kasvattamaan korkealaatuisia piikarbidien epitaksiaalikerroksia substraatissa.

-PACKAING MATERIAALI: Puolijohdepakkausmateriaalien valmistukseen korkean puhtaan piikarbidijauhetta voidaan käyttää pakkauksen lämmön hajoamisen suorituskyvyn ja luotettavuuden parantamiseksi.

Aurinkosähköteollisuus:

Kiteinen piisolu: kiteisten piisolujen valmistusprosessissa voidaan käyttää diffuusiolähteenä P-N-liitoksen muodostumiseen diffuusiolähteenä.

- Ohut kalvoakku: Ohuen kalvon akun valmistusprosessissa voidaan käyttää korkeapuhtaita piikarbidijauhetta kohteena piiharbidikalvon ruiskuttamiseen.