Piikarbidipinnoite

Halfmoon on grafiittikomponentti, jota käytetään LPE SiC -reaktoreissa, ja se asennetaan pääasiassa kammion kuuman alueen ympärille. Vaikka se ei kosketa suoraan kiekkoon, sillä on silti rooli kaasuvirtauksen stabiilisuudessa ja reaktorin toiminnassa epitaksiaalisen kasvun aikana. Korkeiden lämpötilojen ja reaktiivisten prosessiolosuhteiden käsittelemiseksi komponentti on yleensä suojattu CVD SiC -pinnoitteella, kun taas TaC-pinnoite on saatavana myös joihinkin sovelluksiin. VETEK toimittaa myös grafiittihuopaeristettä ja muita pinnoitettuja grafiittiosia piikarbidin epitaksijärjestelmiin.

8 tuuman SiC epi -ylärengas on puolijohdereaktorien laitteisto-osa. Se toimii Si/SiC-epitaksi- ja MOCVD/CVD-järjestelmissä. Tämä rengas stabiloi lämpöä kammion sisällä. Se ohjaa myös kaasujen virtausta. Materiaali on erittäin puhdasta CVD-piikarbidia. Siinä ei ole grafiitin kaasunpoistoongelmia. Se vähentää myös hiukkaskontaminaatiota tuotannon aikana. Otamme mielellämme tiedustelut vastaan.

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor on tarkasti suunniteltu kantajaratkaisu, joka on kehitetty erityisesti LED- ja yhdistepuolijohteiden epitaksiaaliseen kasvuun. Se osoittaa poikkeuksellista lämpötasaisuutta ja kemiallista inerttiä monimutkaisissa MOCVD-ympäristöissä. Hyödyntämällä VETEKin tiukkaa CVD-pinnoitusprosessia, olemme sitoutuneet parantamaan kiekkojen kasvun johdonmukaisuutta ja pidentämään ydinkomponenttien käyttöikää, tarjoamalla vakaan ja luotettavan suorituskyvyn jokaiselle puolijohdetuotannon erälle.

Veteksemicon Solid Silicon Carbide (SiC) -tarkennusrengas on kriittinen kuluva komponentti, jota käytetään kehittyneissä puolijohteiden epitaksi- ja plasmaetsausprosesseissa, joissa plasman jakautumisen, lämmön tasaisuuden ja kiekon reunavaikutusten tarkka hallinta on välttämätöntä. Tämä tarkennusrengas on valmistettu erittäin puhtaasta kiinteästä piikarbidista, ja siinä on poikkeuksellinen plasmaeroosionkestävyys, korkeiden lämpötilojen stabiilisuus ja kemiallinen inertti, mikä mahdollistaa luotettavan suorituskyvyn aggressiivisissa prosessiolosuhteissa. Odotamme kyselyäsi.

Veteksemicon SiC Coated Epitaxial Reactor -kammio on ydinkomponentti, joka on suunniteltu vaativiin puolijohteiden epitaksiaalisiin kasvuprosesseihin. Hyödyntämällä edistynyttä kemiallista höyrypinnoitusta (CVD), tämä tuote muodostaa tiheän, erittäin puhtaan piikarbidipinnoitteen erittäin lujalle grafiittisubstraatille, mikä johtaa erinomaiseen stabiilisuuteen korkeissa lämpötiloissa ja korroosionkestävyyteen. Se vastustaa tehokkaasti reagoivien kaasujen syövyttäviä vaikutuksia korkean lämpötilan prosessiympäristöissä, vähentää merkittävästi hiukkaskontaminaatiota, varmistaa tasaisen epitaksiaalisen materiaalin laadun ja korkean tuoton sekä pidentää merkittävästi reaktiokammion huoltojaksoa ja käyttöikää. Se on keskeinen valinta laajakaistaisten puolijohteiden, kuten SiC:n ja GaN:n, valmistustehokkuuden ja luotettavuuden parantamiseksi.

Piikarbidin epitaksiaalisen kasvun ydinprosessissa Veteksemicon ymmärtää, että suskeptorin suorituskyky määrää suoraan epitaksiaalikerroksen laadun ja tuotantotehokkuuden. Erityisesti piikarbidikenttään suunnitellut erittäin puhtaat EPI-suskeptorimme käyttävät erityistä grafiittisubstraattia ja tiheää CVD SiC -pinnoitetta. Erinomaisen lämmönkestävyytensä, erinomaisen korroosionkestävyytensä ja erittäin alhaisen hiukkasten muodostumisnopeudensa ansiosta ne takaavat asiakkaille vertaansa vailla olevan paksuuden ja seostuksen tasaisuuden jopa ankarissa korkeiden lämpötilojen prosessiympäristöissä. Veteksemiconin valinta tarkoittaa luotettavuuden ja suorituskyvyn kulmakiven valitsemista edistyneille puolijohteiden valmistusprosesseille.