Piikarbidipinnoite

Tämä VeTekin AMAT 0200-03201 Wafer Lift Pin -tappi alkaa erittäin puhtaasta grafiitista, jonka jälkeen lisäämme päälle tiheän CVD SiC -pinnoitteen. Se on tehty 300 mm:n epitaksijärjestelmille ja Applied Materials EPI -reaktoreille. Miksi grafiitti ja piikarbidi? Grafiitti kestää lämpöä todella hyvin. SiC-kerros imee syövyttäviä kaasuja eikä kulu nopeasti. Ohuen seinän muotoilu? Tämä tarkoittaa puhtaampaa kiekkojen nostamista ja sijoittamista, vähemmän hiukkasia ja pidempään osien käyttöikää korkeissa lämpötiloissa. Valmistamme myös vastaavia SiC-pinnoitettuja grafiittiosia ASM-, Aixtron- ja LPE-järjestelmiin. Odotan kyselyäsi.

Vetek Semiconductor valmistaa kiekkokannattimia VEECO MOCVD -järjestelmiin, jotka on rakennettu erityisesti LED-epitaksityöhön, kuten GaN-LEDeihin, sinivihreisiin LEDeihin ja syvään UV-LED-kasvuun. Nämä alustat alkavat erittäin puhtaalla grafiitilla ja saavat tiheän CVD-piikarbidipinnoitteen (SiC). Tämä yhdistelmä kestää hyvin korkeita lämpötiloja, joita näet MOCVD:ssä – hyvä lämmönkestävyys, korroosionkestävyys ja pinnoite kestää.

Halfmoon on grafiittikomponentti, jota käytetään LPE SiC -reaktoreissa, ja se asennetaan pääasiassa kammion kuuman alueen ympärille. Vaikka se ei kosketa suoraan kiekkoon, sillä on silti rooli kaasuvirtauksen stabiilisuudessa ja reaktorin toiminnassa epitaksiaalisen kasvun aikana. Korkeiden lämpötilojen ja reaktiivisten prosessiolosuhteiden käsittelemiseksi komponentti on yleensä suojattu CVD SiC -pinnoitteella, kun taas TaC-pinnoite on saatavana myös joihinkin sovelluksiin. VETEK toimittaa myös grafiittihuopaeristettä ja muita pinnoitettuja grafiittiosia piikarbidin epitaksijärjestelmiin.

8 tuuman SiC epi -ylärengas on puolijohdereaktorien laitteisto-osa. Se toimii Si/SiC-epitaksi- ja MOCVD/CVD-järjestelmissä. Tämä rengas stabiloi lämpöä kammion sisällä. Se ohjaa myös kaasujen virtausta. Materiaali on erittäin puhdasta CVD-piikarbidia. Siinä ei ole grafiitin kaasunpoistoongelmia. Se vähentää myös hiukkaskontaminaatiota tuotannon aikana. Otamme mielellämme tiedustelut vastaan.

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor on tarkasti suunniteltu kantajaratkaisu, joka on kehitetty erityisesti LED- ja yhdistepuolijohteiden epitaksiaaliseen kasvuun. Se osoittaa poikkeuksellista lämpötasaisuutta ja kemiallista inerttiä monimutkaisissa MOCVD-ympäristöissä. Hyödyntämällä VETEKin tiukkaa CVD-pinnoitusprosessia, olemme sitoutuneet parantamaan kiekkojen kasvun johdonmukaisuutta ja pidentämään ydinkomponenttien käyttöikää, tarjoamalla vakaan ja luotettavan suorituskyvyn jokaiselle puolijohdetuotannon erälle.

Veteksemicon Solid Silicon Carbide (SiC) -tarkennusrengas on kriittinen kuluva komponentti, jota käytetään kehittyneissä puolijohteiden epitaksi- ja plasmaetsausprosesseissa, joissa plasman jakautumisen, lämmön tasaisuuden ja kiekon reunavaikutusten tarkka hallinta on välttämätöntä. Tämä tarkennusrengas on valmistettu erittäin puhtaasta kiinteästä piikarbidista, ja siinä on poikkeuksellinen plasmaeroosionkestävyys, korkeiden lämpötilojen stabiilisuus ja kemiallinen inertti, mikä mahdollistaa luotettavan suorituskyvyn aggressiivisissa prosessiolosuhteissa. Odotamme kyselyäsi.