Uutiset

Piekarbidi (sic) kidekasvuuunilla on elintärkeä rooli korkean suorituskyvyn SIC-kiekkojen tuottamisessa seuraavan sukupolven puolijohdelaitteille. Korkealaatuisten SIC-kiteiden kasvatusprosessi asettaa kuitenkin merkittäviä haasteita. Jokainen vaihe vaatii edistyneitä tekniikan ratkaisuja äärimmäisten lämpögradienttien hallinnasta kidealueiden vähentämiseen, tasaisen kasvun varmistamiseen ja tuotantokustannusten hallintaan. Tässä artikkelissa analysoidaan sic Crystal Growth -uunien teknisiä haasteita useista näkökulmista.

Smart Cut on edistyksellinen puolijohteiden valmistusprosessi, joka perustuu ionin implantointiin ja kiekkojen strippaukseen, joka on erityisesti suunniteltu ultra-ohuen ja erittäin yhtenäisen 3C-SIC: n (kuutio-piikarbidi) kiekkojen tuotantoon. Se voi siirtää ultra-ohut kidemateriaalit substraatista toiseen, rikkoen siten alkuperäiset fyysiset rajoitukset ja muuttamalla koko substraattiteollisuutta.

Korkealaatuisten ja korkeatuottoisten piilikarbidisubstraattien valmistelussa ydin vaatii tarkan tuotantolämpötilan hallinnan hyvien lämpökenttämateriaalien avulla. Tällä hetkellä pääasiassa käytettyjä lämpökenttäpoistopaketteja ovat erittäin puhtaita grafiittikomponentteja, joiden tehtävänä on lämmittää sulaa hiilijauhetta ja piijauhetta sekä lämmön ylläpitämistä.

Kun näet kolmannen sukupolven puolijohteet, ihmettelet varmasti, mitkä olivat ensimmäisen ja toisen sukupolven. Tässä "tuotanto" luokitellaan puolijohteiden valmistuksessa käytettyjen materiaalien perusteella.

Sähköstaattinen istukka (ESC), joka tunnetaan myös nimellä sähköstaattinen istukka (ESC, E-CHUCK), on kiinnitys, joka käyttää sähköstaattisen adsorption periaatetta adsorboituneen materiaalin pitämiseen ja korjaamiseen. Se sopii tyhjiö- ja plasmaympäristöihin.

SiC-kiekkojen kantajat, jotka ovat tärkeimmät kulutustarvikkeet kolmannen sukupolven puolijohdeteollisuusketjussa, niiden tekniset ominaisuudet vaikuttavat suoraan epitaksiaalisen kasvun ja laitteen valmistuksen satoon. Koska korkeajännite- ja korkean lämpötilan laitteiden kysyntä teollisuudenaloilla, kuten 5G tukiasemilla ja uusilla energiaajoneuvoilla, SiC-kiekkojen harjoittajien tutkimus ja soveltaminen kohtaavat nyt merkittäviä kehitysmahdollisuuksia.