Sic yksi kidekasvuprosessin varaosat

Veeksemiconin tuote,Tantaalikarbidi (TAC) pinnoiteSIC: n yhden kidekasvuprosessin tuotteet vastaavat haasteita, jotka liittyvät piikarbidikiteiden kasvurajapintaan, erityisesti kattaviin vikoihin, jotka tapahtuvat Kristallin reunalla. Soveltamalla TAC -päällystettä pyrimme parantamaan kidekasvun laatua ja lisäämään kidekeskuksen tehokasta aluetta, mikä on ratkaisevan tärkeää nopean ja paksun kasvun saavuttamiseksi.

TAC-pinnoite on ydinteknologinen ratkaisu korkealaatuisen kasvattamiseksiSic yhden kidekasvuprosessi. Olemme onnistuneesti kehittäneet TAC -pinnoitustekniikan käyttämällä kemiallista höyryn laskeutumista (CVD), joka on saavuttanut kansainvälisesti edistyneen tason. TAC: lla on poikkeukselliset ominaisuudet, mukaan lukien korkean sulamispiste jopa 3880 ° C, erinomainen mekaaninen lujuus, kovuus ja lämpöhakkinkestävyys. Sillä on myös hyvä kemiallinen inertti ja lämpöstabiilisuus, kun ne altistetaan korkeille lämpötiloille ja aineille, kuten ammoniakki, vety ja piitä sisältävä höyry.

VeKekemiconinTantaalikarbidi (TAC) pinnoiteTarjoaa ratkaisun sic-yhdisteen kasvuprosessin reunaan liittyvien ongelmien ratkaisemiseksi, mikä parantaa kasvuprosessin laatua ja tehokkuutta. Edistyneellä TAC-päällysteteknologiallamme pyrimme tukemaan kolmannen sukupolven puolijohdeteollisuuden kehitystä ja vähentämään riippuvuutta tuonti avainmateriaaleista.

PVT -menetelmä sic yhden kidekasvuprosessin varaosat:

TAC -päällystetty upokas, siemenpidike, jossa on TAC -pinnoite, TAC -päällystysoppaan rengas ovat tärkeitä osia sic: ssä ja AIN: n yksikristallihallinnassa PVT -menetelmällä.

● Korkea lämpötilankestävyys

●  Korkea puhtaus, ei saastuta sic -raaka -aineita ja sic -kiteitä.

●  AL -höyry- ja n₂korroosion kestävä

●  Korkea eutektinen lämpötila (ALN: llä) kiteiden valmistusjakson lyhentämiseksi.

●  Kierrätettävä (enintään 200 tuntia), se parantaa tällaisten yksittäisten kiteiden valmistuksen kestävyyttä ja tehokkuutta.