Tantaalikarbidipäällysteinen rengas

Vetek Semiconductor Tantal -karbidipäällysteinen rengas on muotoiltugrafiittija päällystetty tantaalikarbidilla, yhdistelmällä, joka hyödyntää molempien materiaalien parhaita ominaisuuksia paremman suorituskyvyn ja pitkäikäisyyden varmistamiseksi. 

Tantaalikarbidipäällystysrenkaan TAC -päällyste varmistaa, että se pysyy kemiallisesti inertissä sic -kidekasvuuunien reaktiivisissa ilmakehissä, joihin liittyy usein kaasuja, kuten vetyä, argonia ja typpeä. Tämä kemiallinen inertti on elintärkeää kasvavan kiteen saastumisen estämiseksi, mikä voi johtaa lopullisten puolijohdetuotteiden virheisiin ja vähentyneeseen suorituskykyyn. Lisäksi TAC -pinnoitteen tarjoama lämpöstabiilisuus mahdollistaa tantaalikarbidipäällystysrenkaan toiminnan tehokkaasti korkeissa lämpötiloissa, joita tarvitaan sic -kidekasvuun, joka on tyypillisesti yli 2000 ° C.

Tiheä ja tasainen TAC -päällyste voidaan valmistaa grafiittipinnalla plasman suihkuttamalla, CVD -menetelmällä ja lietteen sintrausmenetelmällä, mutta plasman ruiskutusmenetelmällä on korkea laitevaatimus ja TA2C -muodostuminen. Komposiittipinnoitetta on vaikea valmistaa lietteen sintrausmenetelmällä, ja päällysteen lämpöhimoinen vastus on heikko. CVD -menetelmällä valmistetulla päällysteellä on tällä hetkellä hallittavissa oleva koostumus ja suurin tiheys, joka on tällä hetkellä yleinen tantaalikarbidipinnoittimen menetelmä.

TAC: n mekaaniset ominaisuudet vähentävät huomattavasti karbidikarbidipinnoiteasormuksen kulumista. Tämä on ratkaisevan tärkeää kidekasvuprosessin toistuvasta luonteesta, joka altistaa ohjausrenkaan usein lämpösykleille ja mekaanisille rasituksille. TAC: n kovuus ja kulumisvastus varmistaa, että TAC -päällystetty rengas ylläpitää rakenteellista eheyttä ja tarkkoja mittoja pitkien ajanjaksojen ajan, minimoimalla usein vaihtamisen tarve ja vähentämällä seisokkeja valmistusprosessissa. 

Tantalumikarbidipinnoitteen irtotavarana on 14,3 g/cm3, emissionitiivisuus 0,3, kovuus on 2000HK, sulamispiste on 3950S ℃ ja hyvät fysikaaliset ominaisuudet on valittu yleiseksi materiaaliksi puolijohteiden kolmannelle sukupolvelle.

Lisäksi grafiitin ja TAC: n yhdistelmä tantaalikarbidipäällystysrenkassa optimoi lämpöhallinnan kidekasvuuunissa. Grafiitin korkea lämmönjohtavuus jakautuu tehokkaasti lämpöä, estäen hotspot ja edistää tasaista kidekasvua. Samaan aikaan TAC -päällyste toimii lämpöesteenä, joka suojaa grafiittisydin suoralta altistumiselta korkeille lämpötiloille ja reaktiivisille kaasuille. Tämä ytimen ja pinnoitusmateriaalin välinen synergia johtaa ohjausrenkaan, joka ei vain kestä ankaria olosuhteitaSic -kristallin kasvumutta parantaa myös prosessin yleistä tehokkuutta ja laatua.

Vetek Semiconductor Tantal -karbidipäällysteinen rengas on olennainen komponentti puolijohdeteollisuudessa, joka on erityisesti suunniteltu kasvuunPiikarbidikiteitä. Sen suunnittelu valjastaa grafiitin ja tantaalikarbidin vahvuudet poikkeuksellisen suorituskyvyn tuottamiseksi korkean lämpötilan korkean stressin ympäristöissä. TAC-päällyste varmistaa kemiallisen inertin, mekaanisen kestävyyden ja lämpöstabiilisuuden, jotka kaikki ovat kriittisiä korkealaatuisten SIC-kiteiden tuottamiseksi. Ylläpitämällä sen eheyttä ja toiminnallisuutta äärimmäisissä olosuhteissa, rengas tukee SIC-kiteiden tehokasta ja virheetöntä kasvua, mikä edistää suuritehoisten ja korkean taajuuden puolijohdelaitteiden etenemistä.

Vetek Semiconductor on johtava valmistaja ja toimittajaTantaalikarbidipinnoite, PiikarbidipinnoitejaErityinen grafiittiKiinassa. Olemme jo pitkään sitoutuneet tarjoamaan edistyneitä teknologia- ja tuotelaratkaisuja puolijohdeteollisuudelle ja toivomme vilpittömästi olevan pitkäaikainen kumppanisi Kiinassa.

Tantaalikarbidi (TAC) pinnoiteMikroskooppisella poikkileikkauksella：

YleiskatsausPuolijohdepitaksiteollisuusketju：