Huokoinen grafiittiohjainrengas

Tuotteen ydinedut

1. Ultra-High Purity & Low Defect -takuu

Ottaa käyttöön 3000 ℃:n tyhjiökorkean lämpötilan puhdistusprosessin poistaakseen syvästi ei-metalliset epäpuhtaudet, kuten hapen ja typen, mikä lisää tuotteen puhtauden ≥99,9995 %:iin. Se eliminoi epäpuhtauksien aiheuttamat kidevirheet (esim. mikrotubulukset, dislokaatiot) lähteestä, varmistaa piikarbidin yksittäiskiteiden sähköisten ominaisuuksien johdonmukaisuuden ja vakauden ja luo vankan perustan korkealaatuiselle kiteiden kasvulle.

2. Erittäin korkean lämpötilan vakaus ja tarkka lämpökentän säätö

Kestää äärimmäisen korkeita 2200 ℃ lämpötiloja argon- tai tyhjiöympäristössä, toimii jatkuvasti ja vakaasti yli 1000 tunnin ajan ilman pehmenemistä tai muodonmuutoksia. Tuotteella on alhainen lämpölaajenemiskerroin, mikä voi tehokkaasti välttää materiaalin halkeilun, joka johtuu lämpörasituksen aiheuttamasta. Se tukee huokoisuuden (15–30 %) gradienttijakauman suunnittelua ja optimoi huokoskoon (10–200 μm) yhdistettynä CFD-simulaatioteknologiaan (Computational Fluid Dynamics) sääteleen lämpötilagradientin vaihtelua ±3 ℃:n sisällä ja parantaen merkittävästi lämpökentän tasaisuutta ja kiteiden kasvun yhtenäisyyttä.

3. Mukautettu sopeutuminen ja tyytyväisyys koko skenaarioon

• Geometrisen muodon mukauttaminen: Voi käsitellä tarkasti monimutkaisia ​​muotoja, kuten rengasmaisia ​​tynnyreitä ja monikerroksisia suojarakenteita asiakkaiden uunirakenteiden mukaan täydellisen yhteensopivuuden ja asennuksen saavuttamiseksi.
• Pintaprosessin räätälöinti: Tarjoaa henkilökohtaisia ​​pintakäsittelypalveluita, kuten erittäin tarkkaa kiillotusta ja erikoispinnoitteita, mikä parantaa huomattavasti tuotteen korroosionkestävyyttä ja käyttöikää.

4. Suorituskykyvarmennettu ja tehokkuus päivitetty

• Kun sitä käytetään ydinlämpökenttäkomponenttina PVT SiC -kiteytysprosessissa, se on todennettu käytännön skenaarioissa:
• Kiteen kasvunopeus kasvaa 15-20 % verrattuna perinteisiin grafiittituotteisiin, mikä lyhentää merkittävästi tuotantosykliä.
• 4 tuuman SiC yksikidekiekkojen saanto ylittää 90 %, mikä vähentää tehokkaasti tuotantokustannuksia.
• Laitteiden huoltojaksoa pidennetään perinteisestä 3 kuukaudesta 6 kuukauteen, mikä vähentää seisokkien huoltotiheyttä ja parantaa tuotannon tehokkuutta.
  
  

Sovellusskenaariot

• PVT Growth Furnace Assembly: Toimii piikarbidin sublimoinnin ja kiteiden kasvun ydinkomponenttina, mikä tarjoaa vakaan ja tasaisen lämpökentän jakautumisen kiteytysprosessin sujuvan etenemisen varmistamiseksi.
• Lämpökentän suojauskomponentti: Ainutlaatuinen huokoinen rakenne voi tehokkaasti puskuroida lämpörasitusta, vähentää laitteiden kulumista ja pidentää laitteen yleistä käyttöikää.
• Siemenkiteiden tukitarvike: Korkea mekaaninen lujuus tukee siemenkiteitä vakaasti, mikä varmistaa suunnatun kiteiden kasvun tarkkuuden.
• Kaasun diffuusiokerros: Optimoi kaasufaasin siirtotehokkuutta, edistää tasaista sublimaatiota ja raaka-aineiden kerrostumista ja parantaa edelleen yksikiteiden laatua ja kasvunopeutta.

Tekniset parametrit

Kilpailun tärkeimmät kohokohdat

• Suorituskyky äärimmäisen korkeissa lämpötiloissa: Säilyttää rakenteellisen vakauden 2200 ℃:ssa ilman pehmenemistä tai muodonmuutoksia, mikä tukee jatkuvaa toimintaa yli 1000 tunnin ajan äärimmäisten prosessivaatimusten täyttämiseksi.
• Räätälöity lämpökenttäratkaisu: Luottaa CFD-simulointitekniikkaan, joka optimoi huokosgradienttisuunnittelun, vastaa tarkasti asiakkaiden prosessitarpeisiin ja parantaa kiteiden tasaisuutta ja tuotteen saantoa.
• Rapid Response Service: Tarjoaa prosessiparametrien sovitustestipalveluita ja toimittaa prototyyppiratkaisuja 72 tunnin sisällä, mikä auttaa asiakkaita nopeuttamaan T&K- ja tuotantoprosesseja.