Uutiset

Epitaksiaalisen uunin toimintaperiaate on tallettaa puolijohdemateriaaleja substraattiin korkean lämpötilan ja korkean paineessa. Piilien epitaksiaalikasvu on kasvattaa kidekerros samalla kidesuuntauksella kuin substraatti ja erilainen paksuus piin yksikristallisubstraatilla, jolla on tietyllä kidesuuntauksella. Tämä artikkeli esittelee pääasiassa piin epitaksiaaliset kasvumenetelmät: höyryfaasin epitaksi ja nestemäisen faasin epitaksi.

Puolijohteiden valmistuksessa käytetään kemiallista höyryn laskeutumista (CVD) ohutkalvomateriaaleihin kammion, mukaan lukien SiO2, synti jne., Ja yleisesti käytettyihin tyyppeihin sisältyy PECVD ja LPCVD. Säätämällä lämpötila-, paine- ja reaktiokaasutyyppiä, CVD saavuttaa korkean puhtauden, tasaisuuden ja hyvän kalvon kattavuuden erilaisten prosessivaatimusten täyttämiseksi.

Tässä artikkelissa kuvataan pääasiassa piiharbidikeramiikan laajat hakemusnäkymät. Se keskittyy myös silikonikarbidikeramiikan ja vastaavien ratkaisujen sintraushalkeamien syiden analysointiin.

Puolijohteiden valmistuksen etsaustekniikka kohtaa usein ongelmia, kuten lastausvaikutus, mikro-urakehitys ja latausvaikutus, jotka vaikuttavat tuotteen laatuun. Parannusratkaisuihin sisältyy plasmatiheyden optimointi, reaktion kaasun koostumuksen säätäminen, tyhjiöjärjestelmien tehokkuuden parantaminen, kohtuullisen litografian asettelun suunnittelu ja sopivien etsausmaskin materiaalien ja prosessiolosuhteiden valitseminen.

Kuuma puristaminen sintraus on päämenetelmä korkean suorituskyvyn SIC-keramiikan valmistukseen. Kuuman puristamisprosessiin sisältyy: korkean puhtaan sic-jauheen valitseminen, paineiden ja muovaamisen korkean lämpötilan ja korkean paineen alla ja sitten sintraus. Tällä menetelmällä valmistetulla sic -keramiikalla on korkea puhtaus ja korkeatiheys, ja niitä käytetään laajasti kiekkojen hioma- ja lämpökäsittelylaitteiden hiomisessa kiekkojen käsittelyä varten.