MOCVD-tekniikka

VeTek Semiconductorilla on etua ja kokemusta MOCVD Technologyn varaosista.

MOCVD:tä, metalli-orgaanisen kemiallisen höyrypinnoituksen (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) koko nimi, voidaan kutsua myös metalli-orgaanisen höyryfaasin epitaksiksi. Organometalliset yhdisteet ovat metalli-hiilisidoksia sisältävien yhdisteiden luokka. Nämä yhdisteet sisältävät vähintään yhden kemiallisen sidoksen metallin ja hiiliatomin välillä. Metalli-orgaanisia yhdisteitä käytetään usein esiasteena ja ne voivat muodostaa ohuita kalvoja tai nanorakenteita substraatille erilaisilla kerrostustekniikoilla.

Metalli-orgaaninen kemiallinen höyrypinnoitus (MOCVD-tekniikka) on yleinen epitaksiaalinen kasvutekniikka, MOCVD-tekniikkaa käytetään laajalti puolijohdelaserien ja ledien valmistuksessa. Erityisesti ledejä valmistettaessa MOCVD on avainteknologia galliumnitridin (GaN) ja siihen liittyvien materiaalien tuotannossa.

Epitaksia on kaksi päämuotoa: nestefaasiepitaksi (LPE) ja höyryfaasiepitaksi (VPE). Kaasufaasiepitaksi voidaan jakaa edelleen metalli-orgaaniseen kemialliseen höyrypinnoitukseen (MOCVD) ja molekyylisuihkuepitaksiin (MBE).

Ulkomaisia ​​laitevalmistajia edustavat pääasiassa Aixtron ja Veeco. MOCVD-järjestelmä on yksi tärkeimmistä laitteista lasereiden, ledien, valosähköisten komponenttien, tehon, RF-laitteiden ja aurinkokennojen valmistuksessa.

Yrityksemme valmistamien MOCVD-teknologian varaosien pääominaisuudet:

1) Suuri tiheys ja täydellinen kapselointi: grafiittipohja kokonaisuudessaan on korkeassa lämpötilassa ja syövyttävässä työympäristössä, pinnan on oltava täysin kääritty ja pinnoitteen on oltava hyvä tiivistys, jotta se toimii hyvin.

2) Hyvä pinnan tasaisuus: Koska yksikiteiden kasvattamiseen käytetty grafiittipohja vaatii erittäin korkean pinnan tasaisuuden, pohjan alkuperäinen tasaisuus tulee säilyttää pinnoitteen valmistuksen jälkeen, eli pinnoitekerroksen on oltava tasainen.

3) Hyvä sidoslujuus: Vähennä lämpölaajenemiskertoimen eroa grafiittipohjan ja pinnoitemateriaalin välillä, mikä voi tehokkaasti parantaa näiden kahden välistä sidoslujuutta, ja pinnoitetta ei ole helppo murtaa korkean ja matalan lämpötilan lämmön jälkeen sykli.

4) Korkea lämmönjohtavuus: korkealaatuinen lastun kasvu vaatii grafiittipohjan tarjoamaan nopeaa ja tasaista lämpöä, joten pinnoitemateriaalilla tulisi olla korkea lämmönjohtavuus.

5) Korkea sulamispiste, korkean lämpötilan hapettumisenkestävyys, korroosionkestävyys: pinnoitteen tulee pystyä toimimaan vakaasti korkeassa lämpötilassa ja syövyttävässä työympäristössä.

Aseta 4 tuuman substraatti
Sinivihreä epitaksi LEDin kasvattamiseen
Sijaitsee reaktiokammiossa
Suora kosketus kiekkoon Aseta 4 tuuman substraatti
Käytetään UV-LED-epitaksiaalikalvon kasvattamiseen
Sijaitsee reaktiokammiossa
Suora kosketus kiekkoon Veeco K868/Veeco K700 kone
Valkoinen LED-epitaksi/sinivihreä LED-epitaksi Käytetty VEECO-laitteissa
MOCVD Epitaxia varten
SiC-pinnoite suskeptori Aixtron TS -laitteet
Syvä ultraviolettiepitaksi
2 tuuman alusta Veeco-laitteet
Punainen-keltainen LED-epitaksi
4 tuuman kiekkosubstraatti TaC-pinnoitettu suskeptori
(SiC Epi/UV LED-vastaanotin) SiC päällystetty suskeptori
(ALD/Si Epi/LED MOCVD-suskeptori)