MOCVD-tekniikka

Veeksemiconin SIC -päällystetty MOCVD -herkkailija on laite, jolla on erinomainen prosessi, kestävyys ja luotettavuus. Ne kestävät korkean lämpötilan ja kemialliset ympäristöt, ylläpitävät vakaata suorituskykyä ja pitkää käyttöikää, vähentäen siten korvaavan ja ylläpidon taajuutta sekä tuotannon tehokkuuden parantamista. MOCVD -epitaksiaaliherkkomme on tunnettu suuresta tiheydestään, erinomaisesta tasaisuudestaan ​​ja erinomaisesta lämmönhallinnasta, joten se on suositeltavia laitteita ankarissa valmistusympäristöissä. Odotan innolla yhteistyötä kanssasi.

Piipohjainen GaN-epitaksiaalinen suskeptori on GaN-epitaksisen tuotannon ydinkomponentti. Veteksemicon-piipohjainen GaN-epitaksiaalinen suskeptori on erityisesti suunniteltu piipohjaiseen GaN-epitaksiaaliseen reaktorijärjestelmään, ja sen etuja ovat korkea puhtaus, erinomainen korkeiden lämpötilojen kestävyys ja korroosionkestävyys. Tervetuloa jatkoneuvotteluun.