Sic -päällystetty tukirengas

IT -puolijohde, Kiinassa sijaitseva johtava valmistaja ja toimittaja, on erikoistunut tuottamaan tuotevalikoimaa, mukaan lukienSic -päällystetty tukirenkaat, CVD-piikarbidipinnoitteet, tantaalikarbidipinnoitteet, irtotavarana, sic-jauheet ja korkean puhtaan sic-materiaalit. Omistuksemme on puolijohdekorille räätälöityjen kattavan teknisen avun ja optimaalisten tuotesoluutioiden optimaalisten tuotteiden päätöslauselmien. Ota rohkeasti yhteyttä meihin saadaksesi lisätietoja ja apua.

IT -puolijohde'sSic -päällystetty tukirenkaatovat uuden sukupolven korkeita lämpötiloja kestäviä materiaaleja. Korroosionkestävinä pinnoitteina, hapettumista kestävinä pinnoitteina ja kulutusta kestävinä pinnoitteina niitä voidaan käyttää yli 1650 ℃:n ympäristöissä, ja niitä käytetään laajalti puolijohdekentillä.

Laadukkaat ominaisuudetSic -päällystetty tukirenkaaton erittäin tärkeä rooli kolmannen sukupolven puolijohdekomponenttien epitaksiaalisessa kasvussa.

Lämpötilan yhdenmukaisuuden ylläpitäminen: SiC-pinnoitetuilla tukirenkailla on erinomainen lämmönjohtavuus ja ne voivat tarjota tasaisen lämpötilan jakautumisen epitaksiaalisen kasvun aikana. Tämä auttaa vähentämään kiekon pinnan lämpögradientteja ja jännityksiä, mikä parantaa epitaksiaalikerroksen laatua.

Äärimmäinen kemiallinen stabiilisuus: Epitaksiaalisen kasvuprosessin aikanaSic -päällystetty tukirenkaatkykenevät vastustamaan kemiallista hyökkäystä reaktiokaasuista pidentämällä tukirenkaiden käyttöikää ja ylläpitämään prosessin eheyttä. Tämä kemiallinen stabiilisuus auttaa vähentämään saastumisriskiä ja parantamaan puolijohdelaitteiden puhtautta ja suorituskykyä.

Tarkka paikannus: Sic -päällystetyt tukirenkaat kykenevät ylläpitämään kiekon tarkkaa sijaintia, mikä on kriittistä tasaisen kerroksen laskeutumisen saavuttamiseksi. Tämä tarkka paikannus auttaa varmistamaan epitaksiaalikerroksen paksuuden ja laadun konsistenssin.

CVD SiC -pinnoitteen fysikaaliset perusominaisuudet:

Jälleenmyyjä:

Yleiskatsaus puolijohdepitaksiteollisuusketjusta: