Web-valikko

Tuotehaku

Kieli

Tekniikka & ratkaisut

Valintaopas

Tekniikka ja trenditRatkaisutValintaopasTapaustutkimukset
01 CVD SiC:n, TaC:n ja kiinteän piikarbidin suorituskykyrajat epitaksi- ja etsausprosesseissa
05

01 CVD SiC:n, TaC:n ja kiinteän piikarbidin suorituskykyrajat epitaksi- ja etsausprosesseissa

Oikean CVD SiC:n, TaC-pinnoitteen tai kiinteän piikarbidin valitseminen määrittää suoraan hiukkastason ja komponenttien käyttöiän epitaksi-/etsauslinjoilla. Tämä artikkeli tarjoaa selkeät valintarajat lämpötilan, ilmakehän ja prosessin mukaan sekä tärkeimpien laitteiden vaihtoratkaisujen ja keskeisten mittareiden kanssa, jotta voit tehdä nopeita päätöksiä ja vähentää riskejä.
Katso lisää
Uutissuositukset
SiC-päällystetty grafiittisuskeptori: kuinka se vaikuttaa epitaksin tasaisuuteen ja kiekkojen laatuun?
SiC-päällystetty grafiittisuskeptori: kuinka se vaikuttaa epitaksin tasaisuuteen ja kiekkojen laatuun?Katso lisää >>
CVD-pinnoitteet puolijohteiden epitaksissa: tekniset parametrit, SiC/TaC-valinta ja vikojen hallinta
CVD-pinnoitteet puolijohteiden epitaksissa: tekniset parametrit, SiC/TaC-valinta ja vikojen hallintaKatso lisää >>
Mitä on vaiheohjattu epitaksiaalinen kasvu?
Mitä on vaiheohjattu epitaksiaalinen kasvu?Katso lisää >>
Syövytysprosessin ongelmat
Syövytysprosessin ongelmatKatso lisää >>
Miksi lasihiilipäällysteinen grafiittiupokas on ensisijainen valinta erittäin puhtaiden puolijohteiden ja kiteiden kasvusovelluksissa
Miksi lasihiilipäällysteinen grafiittiupokas on ensisijainen valinta erittäin puhtaiden puolijohteiden ja kiteiden kasvusovelluksissaKatso lisää >>
Mitä eroa on MBE- ja MOCVD-tekniikoiden välillä?
Mitä eroa on MBE- ja MOCVD-tekniikoiden välillä?Katso lisää >>
X
Käytämme evästeitä tarjotaksemme sinulle paremman selauskokemuksen, analysoidaksemme sivuston liikennettä ja mukauttaaksemme sisältöä. Käyttämällä tätä sivustoa hyväksyt evästeiden käytön. Tietosuojakäytäntö
HylätäHyväksyä