Sic -tiivistysosa

SiC Sealing -osassa on avainrooli puolijohteiden käsittelyssä. Sen erinomaiset materiaaliominaisuudet ja luotettava tiivistysvaikutus paitsi tuotannon tehokkuuden parantaminen, myös varmistavat tuotteiden laadun ja turvallisuuden.

Piharbidin tiivistysosan tärkeimmät edut:

Erinomainen korroosionkestävyys- Edistyneiden keraamisten materiaalien joukossa Viteksemi -sic -tiivistysosassa voi olla paras korroosionkestävyys happamassa ja alkalisessa ympäristössä. Tämä vertaansa vailla oleva korroosionkestävyys varmistaa, että sic -tiivistysosa voi toimia tehokkaasti kemiallisesti syövyttävissä ympäristöissä, mikä tekee siitä välttämättömän materiaalin teollisuudenaloilla, jotka ovat usein alttiina syövyttäville aineille.

Kevyt ja vahva: Piharbidin tiheys on noin 3,2 g/cm³, ja huolimatta kevyt keraaminen materiaali, piikarbidin lujuus on verrattavissa timantin. Tämä keveyden ja lujuuden yhdistelmä parantaa mekaanisten komponenttien suorituskykyä, mikä lisää tehokkuutta ja vähentää vaativien teollisuussovellusten kulumista. SiC -tiivistysosan kevyt luonne helpottaa myös komponenttien helpompaa käsittelyä ja asentamista.

Erittäin korkea kovuus ja korkea lämmönjohtavuus- Piekarbidin mohs -kovuus on 9 ~ 10, verrattavissa timanttiin. Tämä ominaisuus yhdistettynä korkeaan lämmönjohtavuuteen (noin 120-200 W/m · K huoneenlämpötilassa) mahdollistaa sic-tiivisteiden toiminnan olosuhteissa, jotka vahingoittaisivat ala-arvoisia materiaaleja. SiC: n erinomaiset mekaaniset ominaisuudet ylläpidetään lämpötiloissa jopa 1600 ° C: seen, mikä varmistaa, että sic-tiivisteet pysyvät vankina ja luotettavina jopa korkean lämpötilan sovelluksissa.

Korkea kovuus ja kulutusvastus: Piharbidille on ominaista voimakkaat kovalenttiset sidokset sen kidehilassa, mikä antaa sille korkean kovuuden ja huomattavan elastisen moduulin. Nämä ominaisuudet kääntävät erinomaisen kulutuskestävyyden vähentäen taivutuksen tai muodonmuutoksen todennäköisyyttä jopa pitkäaikaisen käytön jälkeen. Tämä tekee SiC: stä erinomaisen valinnan sic -tiivistysosiin, joihin kohdistuu jatkuvaa mekaanista rasitusta ja hioma -olosuhteita.

Suojattava piisidioksidikerroksen muodostuminen- Kun altistetaan noin 1300 ° C: n lämpötiloihin happea rikkaassa ympäristössä, piikarbidi muodostaa suojaavan piisidioksidin (SIO₂) kerros sen pinnalla. Tämä kerros toimii esteenä, estäen lisää hapettumista ja kemiallisia vuorovaikutuksia. SIO₂Kerros paksunee, se suojaa edelleen alla olevaa SIC: tä muilta reaktioilta. Tämä itserajoittava hapetusprosessi antaa sic erinomaisen kemiallisen resistenssin ja stabiilisuuden, mikä tekee sic-tiivisteistä, jotka sopivat käytettäväksi reaktiivisissa ja korkean lämpötilan ympäristöissä.

Monipuolisuus korkean suorituskyvyn sovelluksissa:Piiharbidin ainutlaatuiset ominaisuudet tekevät siitä monipuolisen ja tehokkaan monissa korkean suorituskyvyn sovelluksissa. Mekaanisista tiivisteistä ja laakereista lämmönvaihtimiin ja turbiinikomponentteihin, sic tiivistysosan kyky kestää äärimmäiset olosuhteet ja säilyttää sen eheys tekee siitä valittujen materiaalien edistyneissä tekniikan ratkaisuissa.

Vetek Semiconductor on sitoutunut tarjoamaan edistyneitä tekniikka- ja tuotelaratkaisuja puolijohdeteollisuudelle. Lisäksi SIC -tuotteemme sisältävät myösPiikarbidipinnoite, PiiharbidikeramiikkajaSic -epitaksiprosessiTuotteet. Tervetuloa edelleen kuulemiseen.

CVD -sic -kalvokidirakenteen SEM -tiedot：