Grafiittikieleen vastaanotto

Vetek Semiconductor's Graphite Disc -herkkyys, korkean suorituskyvyn tuote edistyneille puolijohteiden valmistusprosesseille. Grafiittisilmuksemme on suunniteltu vastaamaan teollisuuden vaativia vaatimuksia ja tarjoamaan poikkeuksellisen suorituskyvyn ja luotettavuuden. Tämä grafiittikielen alttiu on OEM AIX G5 Planetary Reactor -alustalle.

GaN-on-Si MOCVD:tä käytetään LED-epitaksiaaliseen tuotantoon, ja Aixtron G5 -reaktori parantaa MOCVD-alustan tuottoa ja yhtenäisyyttä. Täysin kierretty symmetrinen yhtenäinen kuvio viidellä 200 mm:n kiekolla käyttäen vakiopaksuista piisubstraattia ja säätelemällä kiekon taivutuskäyttäytymistä muodosti sen, mitä he tarvitsivat piin valmistukseen.

Vetek Semiconductorin voimakas grafiittikeskuksen herkkä Gan-on-Si MOCVD: lle, luotettava ja kustannustehokas ratkaisu edistyneisiin puolijohteiden valmistusprosesseihin.

Erittäin puhdas grafiittilevysuskeptorimme on suunniteltu erityisesti täyttämään GaN-on-Si MOCVD-prosessien vaatimukset. Poikkeuksellisen lämmönkestävyytensä ja lämmönkestävyytensä ansiosta se kestää vaativia lämpötilaolosuhteita, jotka vaihtelevat tyypillisesti välillä 800 °C - 1100 °C, mikä varmistaa optimaalisen suorituskyvyn pinnoitusprosessin aikana.

Levy-alttiessamme käytetty korkean puhtaan grafiittimateriaali tarjoaa erinomaisen kemiallisen resistenssin, mikä tekee siitä yhteensopivan ammoniakin (NH3) ja orgaanisen metallin esiasteiden kanssa, joita käytetään yleisesti Gan-on-si MOCVD: ssä. Tämä eliminoi lisävarusteen tarpeenSiC pinnoitteet, mikä vähentää tuotantokustannuksia suorituskyvystä tinkimättä.

Vetek Semiconductorin erittäin puhdas grafiittilevysuskeptori tarjoaa kustannustehokkaan ratkaisun laadusta tinkimättä. Sen luotettavuus, kestävyys ja yhteensopivuus GaN-on-Si MOCVD-prosessien kanssa tekevät siitä suositellun valinnan puolijohdevalmistajille. Luota Vetek Semiconductoriin, joka toimittaa tehokkaat grafiittilevysuskeptorit GaN-on-Si MOCVD -valmistustarpeisiisi.