Tuotteet
CVD SiC -pinnoitettu grafiittisuskeptori kiekkotelineeseen
  • CVD SiC -pinnoitettu grafiittisuskeptori kiekkotelineeseenCVD SiC -pinnoitettu grafiittisuskeptori kiekkotelineeseen

CVD SiC -pinnoitettu grafiittisuskeptori kiekkotelineeseen

VETEK CVD SiC Coated Graphite Susceptor for Wafer Carrier on erittäin suorituskykyinen kiekkojen tukikomponentti, joka on suunniteltu puolijohteiden epitaksiprosesseihin. Tuotteessa käytetään erittäin puhdasta grafiittia alustana ja se on päällystetty yhtenäisellä CVD-piikarbidikerroksella (SiC), joka tarjoaa erinomaisen lämpöstabiilisuuden, kemiallisen kestävyyden ja hiukkasten hallinnan. Kriittisenä grafiittisuskeptorikomponenttina se tukee suoraan kiekkoja reaktiokammion sisällä ja auttaa ylläpitämään tasaista lämpötilajakaumaa ja vakaat epitaksiaaliset kasvuolosuhteet.

1. Tuotteen edut


  • Erittäin puhdas materiaali:Puolijohdelaatuinen grafiittimateriaali ja tiheä SiC-pinnoiterakenne minimoivat kontaminaatioriskit ja parantavat CVD SiC -pinnoitetun grafiittisuskeptorin luotettavuutta.
  • Erinomainen lämpötasaisuus:Optimoitu grafiittirakenne ja SiC-pinnoite tarjoavat vakaan lämmönsiirron ja tasaisen kiekon lämpötilan hallinnan.
  • Ylivoimainen kemiallinen kestävyys:Tiheä SiC-pinnoite tarjoaa vahvan kestävyyden prosessikaasuja ja syövyttäviä ympäristöjä vastaan.
  • Pitkä käyttöikä:Korkea kovuus ja kulutuskestävyys parantavat kestävyyttä korkeissa lämpötiloissa.
  • Pieni hiukkastuotanto:Tiheä CVD SiC -pinta vähentää hiukkasten vapautumista ja parantaa kiekkoprosessin luotettavuutta.
  • Räätälöity suunnittelukyky:Saatavana eri kokoisina, rakenteina ja kokoonpanoina laitevaatimusten mukaan.



2. Tekniset tiedot

Tuote
Tyypillinen arvo
Alustan materiaali
Erittäin puhdasta grafiittia
Pinnoitemateriaali
CVD piikarbidi (SiC)
SiC Puhtaus
≥ 99,999 %
Pinnoitteen paksuus
100 ± 20 μm (muokattavissa)
Pinnoitteen paksuus Tasainen
Ohjattu 10 μm:n sisällä erien välillä
CVD SiC -pinnoitteen tiheys
3,21 g/cm³
Lämmönjohtavuus
300 W/m·K
Lämpölaajenemiskerroin
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Sovellukset


  • SiC-epitaksiprosessi:Grafiittisuskeptoria käytetään kiekon kantajana piikarbidin epitaksilaitteissa, jotka tukevat piikarbidialustoja korkean lämpötilan epitaksiaalisen kasvun aikana.
  • Silicon Epitaxy -prosessi:Käytetään silikoniepitaksiaalisissa reaktoreissa kiekkojen tukemiseen ja vakaiden lämpöolosuhteiden ylläpitämiseen.
  • MOCVD-epitaksi:VETEK-grafiittisuskeptorit soveltuvat MOCVD-, LED-, GaN-, pii-epitaksi- ja muihin puolijohteiden valmistusprosesseihin, jotka vaativat erinomaista lämpötasaisuutta ja kemiallista stabiilisuutta.
  • Puolijohteiden valmistuslaitteet:Yhteensopiva useiden epitaksialustojen kanssa, mukaan lukien LPE-vaakauunit, Aixtron, NuFlare ja niihin liittyvät puolijohdelaitteet.



4. Miksi valita VETEK?

VETEK tarjoaa räätälöityjä CVD SiC -pinnoitettuja grafiittisuskeptoriratkaisuja, joissa on integroitu grafiitin puhdistus, tarkkuustyöstö, CVD-pinnoitus ja tarkastusominaisuudet. Puolijohdeluokan grafiittisuskeptorituotteidemme ominaisuuksia ovat korkea puhtaus, tasainen pinnoitteen paksuus, erinomainen lämpösuorituskyky ja pitkä käyttöikä vaativiin kiekkojen alustasovelluksiin.

Hot Tags: CVD SiC päällystetty grafiittisuskeptori, grafiittisuskeptori, SiC päällystetty grafiittikiekkojen kantaja, puolijohdeepitaksisuskeptori, MOCVD grafiittisuskeptori, piikarbidikiekkojen kantaja, CVD SiC grafiittisuskeptori
Lähetä kysely
Yhteystiedot
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Käytämme evästeitä tarjotaksemme sinulle paremman selauskokemuksen, analysoidaksemme sivuston liikennettä ja mukauttaaksemme sisältöä. Käyttämällä tätä sivustoa hyväksyt evästeiden käytön. Tietosuojakäytäntö
HylätäHyväksyä