Alumiininitridikeraaminen levy

Vetek Semiconductor -alumiininitridikeraaminen levy on ihanteellinen eristävä keraaminen tuote, jolla on korkea lämmönjohtavuus, pieni laajennuskerroin, korkea lujuus, korkea lämpötilavastus, kemiallinen korroosionkestävyys, korkea resistiivisyys ja matala dielektrinen menetys. Alumiininitridikeramiikka voi korvata myrkyllisen berylliumoksidikeramiikan ja sitä käytetään laajasti elektroniikkateollisuudessa.

Suorituskykyetu:

Alumiinikeramiikkaan verrattuna alumiininitridiä on korkea lämmönjohtavuus 100 celsiusastetta, lämmönjohtavuus on yli 170W/ M.K, ja alumiinioksidin lämmönjohtavuus on noin 15-35 W/ (M · K), ja alumiinin nitridi on yli viisi kertaa alumiinioksidin.

Alumiininitridikeraamisen materiaalin kovuus on yleensä 9 mohsin kovuus, mikä tarkoittaa, että alumiininitridikeramiikan kovuus on erittäin korkea, toiseksi vain timantin suhteen, puolijohdepakkausprosessissa, yleensä alumiinin nitridikeraamiset kupit käytetään suurenlämpötilan ja termalisen johtavuuden levyyn ja muihin avainten epävapauksiin.

Tällaisen keraamisen lineaarinen laajennuskerroin on yleensä 4 - 5 × 10^^-6/℃, mikä tekee siitä paremmin sovittavan metallimateriaalien laajennuskerroin, mikä auttaa vähentämään stressin ja th: n muodostumistaLämpötilan muutosten aiheuttamat ermiset stressit.

Samanaikaisesti alumiininitridikeramiikan taivutuslujuus on yleensä välillä 300 - 700 MPa, mikä on suurempi kuin monissa muissa keraamisissa materiaaleissa, kuten zirkoniumoksissa ja alumiinioksidissa.

Lämpötilan suhteen alumiininitridikeramiikka voi toimia vakaasti korkean lämpötilan ympäristössä, ja sen käyttölämpötila voi saavuttaa yli 1500 ℃, mikä sopii korkean lämpötilan prosesseihin ja sovelluksiin.

Inerttien kaasujen vastustuskyvyn lisäksi alumiininitridikeraamiset levyt osoittavat erinomaista kemiallista stabiilisuutta ja korkeaa vastustuskykyä syövyttäville väliaineille, kuten hapolle ja alkalille, mikä tekee niistä laajalti käytettyjä kemianteollisuudessa.

Alumiininitridikeraamisella levyllä on korkea resistiivisyys, yleensä välillä 10^¹⁴ja 10^¹⁵Ω · cm, joka sopii tilanteisiin, joissa vaaditaan sähköeristysominaisuuksia. Alumiininitridikeramiikassa on erittäin alhainen dielektrinen häviö, mikä tarkoittaa, että energian menetystä voidaan vähentää dielektrisissä sovelluksissa.

Sovellusalue:

Puolijohdepakkaus: Tehomoduuleille (kuten IGBT: lle), suuritehoisille sirukantajille, solid-state-releille jne. Tehokkaan lämmönhallinnan 3410 aikaansaamiseksi.

Elektroninen substraatti: ohuena kalvo-/paksuisena kalvopiirilevynä tukee suurta tarkkuuskoneista (esim. Kiillotus RA: lle 0,3 μm pinnan karheus) 410.

RF/mikroaaltolaitteet: matala dielektriset häviöt (TANA ≤3 × 10⁻⁴, 1MHz) ominaisuudet, jotka sopivat korkeataajuiseen piirilevyyn 1018.

Muut teollisuusskenaariot: kuten tyhjiöpäällystelaitteiden osat, HIG

Käsittely- ja räätälöintipalvelut

Tarkkuus koneistus: Tukileikkaus, poraus, hionta, kiillotus (pinnan karheus RA jopa 0,3 μm) ja räätälöity erityismuotoinen rakenne 410.

Pintakäsittely: Sintroitu substraatti voidaan käsitellä uudelleen pinnan sileyden parantamiseksi (esim. 30 mikroinch RA: sta 1 mikroinch RA: hon) 4.

IT -puolijohdeAlumiininitride keraamiset levytuotteet: