Sic -päällystetty kiekkojen haltija

VEtek Semiconductorin SIC -päällystetyn kiekkojen haltijaa käytetään yleensä kiekkojen korjaamiseen ja tukemiseen puolijohdeprosessoinnin aikana. Se on korkean suorituskykykiekko -operaattoriLaajasti puolijohteiden valmistuksessa. Päätämällä kerros piiharbidia (sic)substraatti, tuote voi tehokkaasti estää substraatin korroosiosta ja parantaa kiekko -kantoaalton korroosionkestävyyttä ja mekaanista lujuutta varmistaen prosessointiprosessin vakauden ja tarkkuusvaatimukset.

Sic -päällystetty kiekkojen haltijakäytetään yleensä kiekkojen korjaamiseen ja tukemiseen puolijohdeprosessoinnin aikana. Se on korkean suorituskyvyn kiekko-kantoaalto, jota käytetään laajasti puolijohteiden valmistuksessa. Päällystämällä kerrosPiharbidi (sic)Substraatin pinnalla tuote voi tehokkaasti estää substraatin korroosiosta ja parantaa korroosionkestävyyttä ja mekaanista lujuuttaKiekko -kantolaite varmistaa prosessointiprosessin vakaus- ja tarkkuusvaatimukset.

Piharbidin (sic) sulamispiste on noin 2730 ° C ja erinomainen lämmönjohtavuus on noin 120 - 180 W/m · K. Tämä ominaisuus voi nopeasti hajottaa lämpöä korkean lämpötilan prosesseissa ja estää ylikuumenemisen kiekon ja kantolaitteen välillä. Siksi sic -päällystetty kiekkopidike käyttää yleensä piikarbidia (sic) päällystettyä grafiittia substraattina.

Yhdistettynä SIC: n erittäin korkeaan kovuuteen (Vickers -kovuus noin 2 500 HV) CVD -prosessissa talletettu piikarbidi (sic) pinnoite voi muodostaa tiheän ja voimakkaan suojapinnoitteen, mikä parantaa huomattavasti sic -päällystetyn Wafer -haltijan kulutuskestävyyttä.

Vetek Semiconductorin SIC -päällystetty kiekkopidike on valmistettu sic -päällystetystä grafiitista ja se on välttämätön avainkomponentti nykyaikaisissa puolijohde -epitaksiprosesseissa. Se yhdistää taitavasti grafiitin erinomaisen lämmönjohtavuuden (lämmönjohtavuus on noin 100–400 W/m · K huoneenlämpötilassa) ja mekaanisella lujuudella sekä piidarbidin erinomainen kemiallinen korroosionkestävyys ja lämpöstabiilisuus (SIC: n sulamispiste on noin 2730 ° C), mikä täydellisesti nykypäivän korkean pääpuolen puolijohdeiden valmistusympäristön tiukat vaatimukset.

Tämä yhden taudin suunnittelun haltija voi hallita tarkastiepitaksiaaliprosessiParametrit, jotka auttavat tuottamaan korkealaatuisia, korkean suorituskyvyn puolijohdelaitteita. Sen ainutlaatuinen rakennesuunnittelu varmistaa, että kiekko käsitellään kaikkein huolellisimmalla ja tarkkuudella koko prosessissa, mikä varmistaa epitaksiaalikerroksen erinomaisen laadun ja parantaa lopullisen puolijohdetuotteen suorituskykyä.

Kiinan johtavanaSic -päällystettyVeekin puolijohde voi tarjota kiekkojen haltijan valmistaja ja johtaja, joka voi tarjota räätälöityjä tuotteita ja teknisiä palveluita laitteidesi ja prosessivaatimusten mukaisesti.Toivomme vilpittömästi olevan pitkäaikainen kumppanisi Kiinassa.

CVD -sic -kalvon kiderakenteen SEM -tiedot

CVD -sic -pinnoitteen fysikaaliset ominaisuudet

Vetek Semiconductor SIC -päällysteinen kiekkojen haltijan tuotantokaupat ：