Sic -päällystetty planeetta -herkkailija

SiC -päällystetty planeetta -herkkailija on planeetta -kantaja, joka on päällystettyPiharbidi (sic), jota käytetään pääasiassa puolijohdemateriaalin laskeutumisprosesseissa, kuten metalli-orgaanisessa kemiallisessa höyryn laskeutumisessa (MOCVD), molekyylisäteen epitaksissa (MBE) jne. Sen päätehtävänä on kantaa ja kiertää kiekkoja materiaalin yhdenmukaisuuden ja lämpökentän johdonmukaisuuden varmistamiseksi kerrostumisen aikana. Sen päätehtävä on kantaa ja kiertää kiekkoja materiaalin tasaisuuden ja lämpökentän konsistenssin varmistamiseksi laskeutumisen aikana, ja sic-päällyste tarjoaa kantajalle erinomaisen korkean lämpötilan vastustuskyvyn, korroosionkestävyyden ja lämmönjohtavuuden korkean tarkkaan puolijohteen suhteenvohvelikäsittely.

Ydinsovellusskenaariot sic -päällystetylle planeetta -alttielle

MOCVD -epitaksiaalinen kasvuprosessi

MOCVD -prosessissa SIC -päällystettyä planeetta -herkkyyttä käytetään pääasiassa piin (SI), piiharbidin (sic), galliumnitridin (GAN), gallium arsenidin (GAAS) ja muiden materiaalien kiekkojen kuljettamiseen.

● Toiminnalliset vaatimukset: Kiekkojen tarkka sijainti ja synkronoitu kierto höyrykerrostettujen materiaalien tasaisen jakautumisen varmistamiseksi kiekkojen pinnalla ja parantaa kalvon paksuuden ja koostumuksen tasaisuutta.

● Etu: SiC-pinnoitteet ovat erittäin korroosioiden kestäviä ja kestävät erittäin reaktiivisten metalli-orgaanisten esiasteiden, kuten trimetyyligalliumin (TMGA) ja trimetylindiumin (TMIN), eroosiota, pidentäen niiden käyttöikäisiä.

PIIKARBIDI (SIC) Power -laitteen valmistus

SiC -päällystettyä planeetta -alttiutta käytetään laajasti sic -voimalaitteiden, kuten MOSFET, IGBT, SBD ja muiden laitteiden, epitaksiaalisessa kasvussa.

● Toiminnalliset vaatimukset: Anna vakaa lämpötarkastusalusta korkean lämpötilan ympäristöissä epitaksiaalikerroksen kiteytymisen laadun ja vianhallinnan varmistamiseksi.

● Etu: SIC-pinnoitteet ovat resistenttejä korkealle lämpötilaa (> 1600 ° C) ja niiden lämpölaajennuskerroin (4,0 × 10^-6 K^-1) lähellä piiharbidikiekkoja, mikä vähentää tehokkaasti lämpörasituksia ja parantaa epitaksiaalikerroksen laatua ja vakautta.

Syvä ultravioletti (DUV) ja ultravioletti LED -epitaksiaalinen valmistus

SIC-päällystetty planeetta-herkkailija soveltuu materiaalien, kuten galliumnitridin (GAN) ja alumiinin galliumnitridin (Algan) epitaksiaaliseen kasvuun, ja sitä käytetään laajasti UV-LED: n ja mikro-LED: n valmistuksessa.

● Toiminnalliset vaatimukset: Pidä tarkka lämpötilanhallinta ja tasainen ilmavirtajakauma aallonpituuden tarkkuuden ja laitteen suorituskyvyn varmistamiseksi.

● Etu: Korkea lämmönjohtavuus ja hapettumiskestävyys mahdollistavat erinomaisen stabiilisuuden korkeissa lämpötiloissa pitkien toimintajaksojen aikana, mikä auttaa parantamaan LED -sirujen valaisevaa tehokkuutta ja konsistenssia.

Valitse Vekemicon

Veeksemicon sic -päällysteinen planeetta -herkkailija on osoittanut korvaamattomia etuja korkean lämpötilan, syövyttävien puolijohteiden valmistusympäristöissä ainutlaatuisten materiaaliominaisuuksiensa ja mekaanisen suunnittelun kautta. Ja pääplaneetta -alttiita tuotteitamme ovat sic -päällystetty planeetta -alttiita,ALD Planeetta -herkkuri, TAC -päällyste planeetta -alttiuja niin edelleen. Samanaikaisesti Vetkekemicon on sitoutunut tarjoamaan räätälöityjä tuotteita ja teknisiä palveluita puolijohdeteollisuudelle. Odotamme vilpittömästi olevan pitkäaikainen kumppanisi Kiinassa.