TAC -päällyste planeetta -alttiu

Puolijohteiden valmistuksen alueella TAC -pinnoitteen planeetta -alttiulla on ratkaiseva rooli. Sitä käytetään laajasti piikarbidien (sic) epitaksiaalikerrosten kasvussa laitteissa, kuten Aixtron G5 -järjestelmä. Lisäksi, kun sitä käytetään ulommana levynä Tantal -karbidin (TAC) pinnoitteen laskeutumisessa sic -epitaksissa, TAC -päällystysplaneetta -alttiu tarjoaa olennaista tukea ja vakautta. Se varmistaa tantaalikarbidikerroksen tasaisen laskeutumisen, mikä edistää korkealaatuisten epitaksiaalikerrosten muodostumista, jolla on erinomainen pintamorfologia ja haluttu kalvon paksuus. TAC -pinnoitteen kemiallinen inertti estää ei -toivottuja reaktioita ja saastumista, ylläpitäen epitaksiaalikerrosten eheyttä ja varmistaa niiden erinomaisen laadun.

TAC -pinnoitteen poikkeuksellinen lämmönjohtavuus mahdollistaa tehokkaan lämmönsiirron, edistäen tasaista lämpötilan jakautumista ja minimoivat lämpöjännityksen epitaksiaalisen kasvuprosessin aikana. Tämä johtaa korkealaatuisten SIC-epitaksiaalikerrosten tuottamiseen, joilla on parannettuja kristallografisia ominaisuuksia ja parantunut sähkönjohtavuus.

TAC -päällystysplaneettalevyn tarkat mitat ja vankka rakentaminen tekevät helpotuksesta integroida olemassa oleviin järjestelmiin, mikä varmistaa saumattoman yhteensopivuuden ja tehokkaan toiminnan. Sen luotettava suorituskyky ja korkealaatuinen TAC-pinnoite edistävät johdonmukaisia ​​ja tasaisia ​​tuloksia sic-epitaksiprosesseissa.

Luottakaa Veek -puolijohde ja TAC -päällystysplaneettalevy poikkeuksellisen suorituskyvyn ja luotettavuuden suhteen sic -epitaksissa. Koe innovatiivisten ratkaisuidemme edut, jotka sijoittavat sinut puolijohdeteollisuuden teknologisten kehityksen eturintamaan.