Teollisuusuutiset

Yksikidemateriaalit eivät yksinään pysty täyttämään erilaisten puolijohdelaitteiden kasvavan tuotannon tarpeita. Vuoden 1959 lopussa kehitettiin ohut kerros yksikidemateriaalin kasvuteknologiaa - epitaksiaalista kasvua.

Piharbidi on yksi ihanteellisista materiaaleista korkean jännite-, korkean taajuuden, suuritehoisten ja korkeajännitteiden laitteiden valmistukseen. Tuotannon tehokkuuden parantamiseksi ja kustannusten vähentämiseksi suurikokoisten piilarbidisubstraattien valmistelu on tärkeä kehityssuunta.

Ulkomaisten uutisten mukaan kaksi lähdettä paljasti 24. kesäkuuta, että ByteDance työskentelee yhdysvaltalaisen sirusuunnitteluyrityksen Broadcomin kanssa kehittääkseen kehittyneen tekoälyn (AI) laskentaprosessorin, joka auttaa ByteDancea varmistamaan huippuluokan sirujen riittävän saatavuuden Kiinan välisten jännitteiden keskellä. ja Yhdysvallat.

SIC -teollisuuden johtajana Sanan Optoelektroniikkaan liittyvä dynamiikka on saanut alan laajaa huomiota. Äskettäin Sanan Optoelctronics paljasti sarjan viimeisintä kehitystä, johon osallistui 8-tuumainen muutos, uusi substraatin tehdastuotanto, uusien yritysten perustaminen, valtion tuet ja muut näkökohdat.

SiC- ja AlN-yksikiteiden kasvatuksessa fysikaalisen höyrynsiirtomenetelmän (PVT) avulla tärkeillä komponenteilla, kuten upokas, siemenpidike ja ohjausrengas, on tärkeä rooli. Kuten kuvassa 2 [1] on esitetty, PVT-prosessin aikana siemenkide sijoittuu alemman lämpötilan alueelle, kun taas piikarbidin raaka-aine altistuu korkeammille lämpötiloille (yli 2400 ℃).

Piharbidialustat ovat monia vikoja, eikä niitä voida käsitellä suoraan. Niille on kasvatettava erityinen yksittäinen kristalli -ohutkalvo epitaksiaalisen prosessin avulla sirukiekkojen valmistamiseksi. Tämä ohutkalvo on epitaksiaalikerros. Lähes kaikki piikarbidilaitteet toteutetaan epitaksiaalimateriaaleilla. Korkealaatuiset piikarbidi-homogeeniset epitaksiaalimateriaalit ovat pohja piikarbidilaitteiden kehittämiselle. Epitaksiaalimateriaalien suorituskyky määrittää suoraan piikarbidilaitteiden suorituskyvyn toteutumisen.