Cvd sic pannukakkuherkkyys

IT -puolijohde CVD -sic -pannukakku -herkkailija valmistetaan käyttämällä uusinta kemiallisen höyryn laskeutumistekniikkaa (CVD) erinomaisen kestävyyden ja äärimmäisen lämpötilan sopeutumiskyvyn varmistamiseksi. Seuraavat ovat sen tärkeimmät fysikaaliset ominaisuudet:

● Lämmönvakaus: CVD -sic: n korkea lämpöstabiilisuus varmistaa vakaan suorituskyvyn korkean lämpötilan olosuhteissa.

● Matala lämmön laajennuskerroin: Materiaalilla on erittäin alhainen lämpölaajennuskerroin, joka minimoi lämpötilan muutosten aiheuttamat vääntymisen ja muodonmuutokset.

● Kemiallinen korroosionkestävyys: Erinomainen kemiallinen resistenssi antaa sen ylläpitää korkeaa suorituskykyä monissa ankarissa ympäristöissä.

Tarkka tuki ja optimoitu lämmönsiirto

Veeksemin pannukakku -alttiu -pohjainen SIC -päällyste on suunniteltu sijoittamaan puolijohdevelat ja tarjoamaan erinomaista tukea epitaksiaalisen laskeutumisen aikana. SiC -pannukakku -herkkailija on suunniteltu käyttämällä edistynyttä laskennallista simulaatiotekniikkaa vääntymisen ja muodonmuutoksen minimoimiseksi eri lämpötila- ja paine -olosuhteissa. Sen tyypillinen lämpölaajennuskerroin on noin 4,0 × 10^-6/° C, mikä tarkoittaa, että sen mitta-stabiilisuus on huomattavasti parempi kuin perinteiset materiaalit korkean lämpötilan ympäristöissä, mikä varmistaa kiekkojen paksuuden konsistenssin (tyypillisesti 200-300 mm).

Lisäksi CVD -pannukakku -herkkeri on erinomainen lämmönsiirrossa, ja lämmönjohtavuus on jopa 120 W/m · K. Tämä korkea lämmönjohtavuus voi nopeasti ja tehokkaasti johtaa lämpöä, parantaa lämpötilan tasaisuutta uunissa, varmistaa tasaisen lämmönjakauman epitaksiaalisen laskeutumisen aikana ja vähentää epätasaisen lämmön aiheuttamia laskeutumisvikoja. Optimoitu lämmönsiirto suorituskyky on kriittinen laskeutumisen laadun parantamiseksi, mikä voi tehokkaasti vähentää prosessien vaihtelua ja parantaa satoa.

Näiden suunnittelu- ja suorituskyvyn optimointien avulla Vetek Semiconductorin CVD -sic -pannukakku -herkkailija tarjoaa vankan perustan puolijohteiden valmistukselle, luotettavuuden ja johdonmukaisuuden varmistamiseksi ankarissa prosessointiolosuhteissa ja täyttäisi nykyaikaisen puolijohdeteollisuuden tiukat vaatimukset suurelle tarkkuudelle ja laatulle.

CVD -sic -kalvon kiderakenne

CVD -sic -pinnoitteen fysikaaliset ominaisuudet

CVD -sic -pinnoitteen fysikaaliset ominaisuudet
Omaisuus	Tyypillinen arvo
Kiderakenne	FCC β -faasi monikiteinen, pääasiassa (111) suuntautunut
Tiheys	3,21 g/cm³
Kovuus	2500 Vickers -kovuus （500 g kuorma）
Viljakoko	2 ~ 10 mm
Kemiallinen puhtaus	99,99995%
Lämpökapasiteetti	640 J · kg-1· K-1
Sublimaatiolämpötila	2700 ℃
Taivutuslujuus	415 MPa RT 4 -pistettä
Youngin moduuli	430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Lämmönjohtavuus	300W · M-1· K-1
Lämpölaajennus (CTE)	4,5 × 10-6K-1