CVD SiC päällystetty RTP-suseptori

Ominaisuudet

• Lämpötasaisuus – Materiaalin korkea lämpödiffuusio mahdollistaa nopean, alueellisesti tasaisen lämmönsiirron ja tukee toistettavia kiekkojen lämpötilaprofiileja.
• Korkea puhtaustaso – CVD SiC -pinnoitteen puhtausaste on 99,99995 %, mikä vähentää tehokkaasti liikkuvien ionien ja metallien kontaminaatioriskiä kriittisissä prosessivaiheissa.
• Kemiallinen kestävyys – Pinnoite kestää voimakkaasti syövyttäviä aineita, mukaan lukien halogeenipohjaiset kaasut, korkeissa lämpötiloissa. Pidemmät huoltovälit – Parannettu hapettumis- ja kulumiskestävyys merkitsee vähemmän vaihtoja ja lyhyempiä työkalujen seisokkeja.
• Suunnittelun joustavuus – Mitat ja kokoonpanot voidaan mukauttaa vastaamaan tiettyjä RTP-kammion geometrioita ja kiekkojen kokoja.

Sovellukset

• Rapid Thermal Processing (RTP)
• Rapid Thermal Hehkutus (RTA)
• Lisäaineen aktivointi Hapetus- ja hehkutusvaiheet
• Integroitujen piirien (IC) valmistus
• Teholaitteiden valmistusTekninen

Tekniset tiedot

Miksi valita VeTek Semiconductor?

· Sisäinen CVD SiC -pinnoitusprosessi, joka on kehitetty erityisesti puolijohdetason vaatimuksia varten.

· Integroidut ominaisuudet grafiitin puhdistamiseen, tarkkuuskoneistukseen ja pinnoitteen paksuuden säätöön.

· Todistettu pinnoitteen tarttuvuus ja kerrosten tasaisuus erätuotannossa.

· Suunniteltu tuki mukautetuille suskeptorimalleille, jotka ovat yhteensopivia tärkeimpien RTP-työkalualustojen kanssa.

· Tiukka saapuvan materiaalin tarkastus, prosessinaikainen seuranta ja lopullinen pätevyystestaus varmistavat erien välisen johdonmukaisuuden.