Veeco mocvd Providence

Se puolijohdeVeeco MoCVDKiekko -herkkailija on kriittinen komponentti, joka on suunniteltu huolellisesti käyttämällä ultrapiurista grafiittia aPiharbidi (sic) pinnoite. TämäSic -pinnoiteTarjoaa lukuisia etuja, mikä mahdollistaa tehokkaasti tehokkaan lämmönsiirron substraattiin. Optimaalisen lämmönjakauman saavuttaminen substraatin yli on välttämätöntä tasaisen lämpötilan hallinnan kannalta, mikä varmistaa yhdenmukaisen, korkealaatuisen ohutkalvojen laskeutumisen, mikä on ratkaisevan tärkeä puolijohdelaitteiden valmistuksessa.

Tekniset parametrit

Materiaalin ominaisuuksien matriisi

Tärkeimmät indikaattorit Vetek Standard perinteiset ratkaisut

Perusmateriaali puhtaus 6n isostaattinen grafiitti 5n valettu grafiitti

CTE-sovitusaste (25-1400 ℃) Δα ≤0,3 × 10 ⁻⁶/ k Δα ≥1,2 × 10⁻⁶/ K

Lämpöjohtavuus @800 ℃ 110 W/m · K 85 W/M · K

Pinnan karheus (RA) ≤0,1 μm ≥0,5 μm

Happotoleranssi (pH = 1@80 ℃) 1500 sykliä 300 sykliä

Ydin etu rekonstruointi

Lämpöhallinnan innovaatio

Atomic CTE -sovitustekniikka

Japani Toyo Carbon Graphite/SGL -substraatti + Gradient SIC -pinnoite

Lämpöjakson jännitys vähensi 82% (mitattu 1400 ℃↔RT 500 sykliä ilman halkeilua)

Älykäs lämpökenttäsuunnittelu

12-vyöhykkeen lämpötilan kompensointirakenne: saavuttaa ± 0,5 ℃ yhdenmukaisuus φ200 mm-kiekon pinnalla

Dynaaminen lämpövaste: Lämpötilagradientti ≤1,2 ℃/cm 5 ℃/s lämmitysnopeus

Kemian suojausjärjestelmä
Kolminkertainen este

50 μm tiheä sic -pääkerros

Nanotac -siirtymäkerros (valinnainen)

Kaasufaasin tunkeutumisen tiheys

Vahvistettu ASTM G31-21:

CL -pohjakorroosionopeus <0,003 mm/vuosi

NH3 paljastettu 1000 tunniksi ilman viljarajan korroosiota

Älykäs valmistusjärjestelmä

Digitaalinen kaksosekäsittely

Viiden akselin koneistuskeskus: Aseman tarkkuus ± 1,5 μm

Online 3D -skannaustarkastus: 100% täysikokoinen varmennus (ASME Y14.5: n mukaisesti)

Skenaariopohjainen arvoesitys

Kolmannen sukupolven puolijohde -massatuotanto

Sovellusskenaarioprosessin parametrit asiakasetuudet

GaN Hemt 6 tuumaa /150 μm epitaksiaalinen kaksiulotteinen elektronikaasun tiheys vaihtelu <2%

Sic mosfet c -doping -yhtenäisyys ± 3% kynnysjännitteen poikkeama vähenee 40%

Mikro -LED -aallonpituuden yhtenäisyys ± 1,2 nm siru -astiasuhde nousi 15%

Ylläpitokustannusten optimointi

Puhdistusjakso pidennetään 3 kertaa: HF: HNO ₃ = 1: 3 High -intensiteettipuhdistus tuetaan

Varaosien käyttöiän ennustamisjärjestelmä: AI -algoritmin tarkkuus ± 5%

Vetek Semiconductor Veeoeco MoCVD -sarjakaupat: