Pilarbidipäällyste kiekkopidike

Piilarbidi (sic) päällystyskiekkopidike on olennainen komponentti puolijohteiden valmistuksessa, joka on erityisesti suunniteltu ultrapuhdistukseen, korkean lämpötilan prosesseihin, kuten MOCVD (metalli orgaaninen kemiallinen höyryn laskeutuminen), LPCVD, PECVD ja lämpökadunmuutos. Integroimalla tiheä ja yhtenäinenCVD sic -päällysteVahvassa grafiitti- tai keraamisessa substraatilla tämä kiekko -kantaja varmistaa sekä mekaanisen stabiilisuuden että kemiallisen inerttisyyden ankarissa ympäristöissä.

Ⅰ. Ydintoiminto puolijohteiden prosessoinnissa

Puolijohteiden valmistuksessa kiekkojen haltijoilla on keskeinen rooli kiekkojen tukemisessa, tasaisesti lämmitettyä ja suojattuna laskeutumisen tai lämpökäsittelyn aikana. SIC -pinnoite tarjoaa inertin esteen perussubstraatin ja prosessiympäristön välillä, minimoimalla tehokkaasti hiukkasten saastumisen ja kaasunpoiston, jotka ovat kriittisiä korkean laitteen saannon ja luotettavuuden saavuttamiseksi.

Tärkeimmät sovellukset sisältävät:

● Epitaksiaalinen kasvu (sic, gan, gaas kerrokset)

● Lämpöhapetus ja diffuusio

● Korkean lämpötilan hehkutus (> 1200 ° C)

● Kiekkojen siirto ja tuki tyhjiö- ja plasmaprosessien aikana

Ⅱ. Paremmat fyysiset ominaisuudet

Nämä parametrit osoittavat kiekkojen haltijan kyvyn ylläpitää suorituskyvyn stabiilisuutta jopa tiukissa prosessisykleissä, mikä tekee siitä ihanteellisen seuraavan sukupolven laitteen valmistukseen.

Ⅲ. Käsittele työnkulku-vaiheittainen sovellusskenaario

OtetaanMOCVD -epitaksiTyypillisenä prosessiskenaariona käytön havainnollistamiseksi:

1. Kiekkojen sijoitus: Pii, GaN tai sic-kiekko sijoitetaan varovasti sic-päällystetylle kiekko-herkkyydelle.

2. Kammion lämmitys: Kammio lämmitetään nopeasti korkeisiin lämpötiloihin (~ 1000–1600 ° C). SiC -pinnoite varmistaa tehokkaan lämmönjohtavuuden ja pinnan stabiilisuuden.

3. Esiasteen esittely: Metalli-orgaaniset esiasteet virtaavat kammioon. SIC -pinnoite vastustaa kemiallisia hyökkäyksiä ja estää substraatin kaasusta.

4. Epitaksiaalikerroksen kasvu: Yhtenäiset kerrokset talletetaan ilman saastumista tai lämpöäHolderin erinomaisen tasaisuuden ja kemiallisen inertin ansiosta.

5. Jäähdytä ja uutta: Prosessoinnin jälkeen pidike sallii turvallisen lämmönsiirron ja kiekkojen hakemisen ilman hiukkasten leviämistä.

SIC -pinnoitteen kiekko -herkkailija parantaa prosessin saantoa ja vähentää työkalujen seisokkeja ylläpitämällä ulottuvuuden stabiilisuutta, kemiallista puhtautta ja mekaanista lujuutta.

CVD -sic -kalvon kiderakenne:

Veteksemicon -tuotevarasto: